KR970023894A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터(TFT) 제조방법에 관한 것으로, 절연기판위에 하부 게이트와, 상기 하부 게이트위에 절연막과, 상기 절연막 위에 상부 게이트를 형성하는 공정과; 상기 절연막을 상기 하부 게이트 및 상부 게이트의 나비 보다 작게 되도록 식각하는 공정과; 상기 하부 게이트와 절연막 및 상부 게이트 표면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과; 상기 게이트 절연막 표면 및 기판 상에 반도체층을 형성하는 공정과; 경사이온주입을 실시하여 불순물 영역을 형성하는 공정을 포함하여 소자 제조를 완료하므로써, 1) 오프셋 길이를 제어(control)하는 것이 가능하게 되어 TFT의 특성 변화를 감소시킬 수 있으며, 2) 마스크 공정이 요구되지 않아 공정단순화를 기할 수 있고, 3) 수직 채널을 사용하여 TFT에 의해 셀 사이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 4) 상부 채널과 하부 채널을 따로 제어하는 것이 가능하여 드레인 전계가 채널에 미치는 영향을 감소시킬 수 있게 되어 TFT특성을 개선시킬 수 있고, 5) 더블 게이트 구조에 의해 채널 모듈레이션 효과(온/오프 비 증가)를 증대시킬 수 있어 TFT의 특성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 박막트랜지스터를 구현할 수 있게 된다.

Description

박막트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(가)도 내지 제2(바)도는 본 발명의 제1실시예에 따른 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정수순도.

Claims (7)

  1. 기판 위에 하부 게이트와, 상기 하부 게이트 위에 절연막과, 상기 절연막 위에 상부 게이트를 형성하는 공정과; 상기 절연막을 상기 하부 게이트 및 상부 게이트의 나비보다 작게 되도록 식각하는 공정과; 상기 하부 게이트와 절연막 및 상부 게이트 표면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과; 상기 게이트 절연막 표면 및 기판 상에 반도체층을 형성하는 공정과; 경사이온주입을 실시하여 불순물 영역을 형성하는 공정을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 유전체로 형성되는 것을 특징으로하는 박막트랜지스터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 습식 또는 건식식각법으로 식각되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
  4. 기판 위에 하부 게이트와, 상기 하부 게이트 위에 절연막과, 상기 절연막 위에 상부 게이트를 형성하는 공정과; 상기 하부 게이트와 절연막 및 상부 게이트 양 측면에 측벽 스페이서를 형성하는 공정과; 일측의 측벽 스페이서를 제거하고, 상기 절연막을 상기 하부 게이트 및 상부 게이트의 나비보다 작게 되도록 식각하는 공정과; 상기 상부 게이트와 절연막 및 하부 게이트 표면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과; 상기 게이트 절연막과 측벽 스페이서 및 기판 표면에 반도체층을 형성하는 공정 및 ; 소오스/드레인 이온주입을 실시하는 공정을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 측벽 스페이서는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 측벽 스페이서는 하부 게이트와 절연막 및 상부 게이트를 포함한 절연기판 상에 산화막을 증착하고, 이들 에치백하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 절연막은 습식 또는 건식식각법으로 식각되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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