KR930003434A - Ldd 구조의 모스 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
Ldd 구조의 모스 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 앤모스 트랜지스터 제조공정단면도.
Claims (1)
- 기판위에 필드산화막과 게이트 형성이후 진행되는 공정에 있어서, 게이트 마스크로 저농도 이온을 주입하여 저농도 소오스/드레인 영역을 형성하는 스텝, 전표면에 열적 산화박막 성장후 산화막을 증착하고 이를 에치하여 게이트 측벽 산화막을 형성하는 스텝 전표면에 폴리실리콘막을 증착하고 이것에 소오스/드레인과 동형의 고농도 이온을 주입하는 스텝, 필드산화막과 게이트 측벽 산화막 사이에 감광제를 증착하고 이를 마스크로 고농도 이온이 주입된 상기 폴리실리콘막을 에치 백하는 스텝, 어닐링을 실시하여 필드산화막과 게이트 측벽산화막 사이의 남은 폴리 실리콘으로부터 기판으로 고농도 이온을 도핑시켜 LDD구조를 갖도록 고농도 소오스/드레인 영역을 형성하는 스켑, 절연막 증착후 포토/에치 공정을 실시하여 게이트 상측과 상기 남은 폴리실리콘의 각 상축에 콘택트를 형성하고 이 콘택트에 메탈을 증착하여 각 매탈 전극을 형성하는 스텝이 순차적으로 포함됨을 특징으로 하는 LDD구조의 모스 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910011719A KR930003434A (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Ldd 구조의 모스 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910011719A KR930003434A (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Ldd 구조의 모스 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930003434A true KR930003434A (ko) | 1993-02-24 |
Family
ID=67440876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910011719A KR930003434A (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Ldd 구조의 모스 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930003434A (ko) |
-
1991
- 1991-07-10 KR KR1019910011719A patent/KR930003434A/ko not_active Application Discontinuation
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