KR910001902A - Mos 트랜지스터에서 게이트 전극막의 경량 도우프 드레인 소오스 형성 방법 - Google Patents
Mos 트랜지스터에서 게이트 전극막의 경량 도우프 드레인 소오스 형성 방법 Download PDFInfo
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- KR910001902A KR910001902A KR1019890009286A KR890009286A KR910001902A KR 910001902 A KR910001902 A KR 910001902A KR 1019890009286 A KR1019890009286 A KR 1019890009286A KR 890009286 A KR890009286 A KR 890009286A KR 910001902 A KR910001902 A KR 910001902A
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- KR
- South Korea
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- gate electrode
- mos transistor
- drain source
- forming
- electrode film
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (가)-(마)는 본 발명 방법의 공정순서를 나타내는 수직단면도.
Claims (1)
- LDD 형성 방법에 있어서, 웨이퍼 기판(1)위에 게이트 산화막(2)을 형성하고 그위에 폴리실리콘층(3)을 침적한후 다시 그위체 감광막(4)을 입혀 게이트 전극패턴을 형성하는 통상의 제1공정과 이어서 게이트 전극을 등방성 식각공정을 행하여 에칭시키는 제2공정과, 그후에 하이 도우즈로 이온을 주입(5)하는 제3공정과, 다음에 감광막(4)을 제거한후에 어닐링(6)하는 제4공정과, 최종적으로 로우 도우즈로 이온을 주입(7)하는 제5공정을 순차적으로 행하여 이루어진 MOS 트랜지스터에서 게이트 전극막의 경량 도우프 드레인 소오스 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890009286A KR910001902A (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Mos 트랜지스터에서 게이트 전극막의 경량 도우프 드레인 소오스 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890009286A KR910001902A (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Mos 트랜지스터에서 게이트 전극막의 경량 도우프 드레인 소오스 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910001902A true KR910001902A (ko) | 1991-01-31 |
Family
ID=68084285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890009286A KR910001902A (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Mos 트랜지스터에서 게이트 전극막의 경량 도우프 드레인 소오스 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910001902A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010112519A (ko) * | 2000-06-07 | 2001-12-20 | 김영부 | 나무무늬 인쇄필름(ｐ.ｖ.ｃ 시이트) 및 나무무늬인쇄모양지를 이용한 모자이크 필름시이트의 제조방법 및그 장치 |
-
1989
- 1989-06-30 KR KR1019890009286A patent/KR910001902A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010112519A (ko) * | 2000-06-07 | 2001-12-20 | 김영부 | 나무무늬 인쇄필름(ｐ.ｖ.ｃ 시이트) 및 나무무늬인쇄모양지를 이용한 모자이크 필름시이트의 제조방법 및그 장치 |
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