KR910003786A - 게이트전극 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 의해 게이트전극을 형성하는 과정을 나타낸 단면도.
Claims (1)
- 실리콘 기판 상부에 게이트 산화막을 형성하고 도프된 폴리 실리콘과 금속 실리사이드를 순차적으로 형성하여 폴리사이드를 형성하고 마스크 패턴공정으로 도프된 폴리실리콘과 금속 실리사이드의 소정부분을 제거하여 게이트 전극을 형성한다음, 게이트 전극용 폴리사이드 상부 및 측변에 산화에 의한 실리콘 산화막을 형성한후 N-불순물을 이온주입 공정으로 LDD영역을 형성한다음. 전체적으로 실리콘 산화막을 소정두께로 증착하여 비등방성 식각으로 스페이서를 형성하고 상기 LDD영역에 이온주입으로 N+소오스/드레인 확산영역을 형성하는 것으로 이루어지는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 게이트 전극용 폴리사이드를 형성하고 후공정으로 재산화시에 노출에 의한 폴리사이드가 열화되는 것을 방지하기 위하여, 상기의 LDD영역을 형성한다음, 전체적으로 실리콘 질화막 또는 이에 상응하는 박막을 얇게 증착하는 공정과, 스페이서용 실리콘 산화막을 상기 질화막 상부에 소정두께로 도포한 후에 상기의 질화막 또는 이에 사응하는 절연막을 식각정지점으로 한 비등방성 식각으로 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 공정에 의해 노출된 질화막 또는 이에 상응하는 절연막을 실리콘 산화막과는 선택적 식각으로 완전히 제거하는 공정과, 상기 LDD영역에 이온주입으로 N+소오스/드레인 확산영역을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR920006433B1 KR920006433B1 (ko) | 1992-08-06 |
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ID=19288224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR920006433B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5904362A (en) * | 1994-06-14 | 1999-05-18 | World Industry Co., Ltd. | Forward-drive apparatus for a bicycle |
-
1989
- 1989-07-20 KR KR1019890010257A patent/KR920006433B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5904362A (en) * | 1994-06-14 | 1999-05-18 | World Industry Co., Ltd. | Forward-drive apparatus for a bicycle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR920006433B1 (ko) | 1992-08-06 |
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