KR910003786A - 게이트전극 형성방법 - Google Patents

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KR910003786A
KR910003786A KR1019890010257A KR890010257A KR910003786A KR 910003786 A KR910003786 A KR 910003786A KR 1019890010257 A KR1019890010257 A KR 1019890010257A KR 890010257 A KR890010257 A KR 890010257A KR 910003786 A KR910003786 A KR 910003786A
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이원규
Original Assignee
정몽헌
현대전자산업 주식회사
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate

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Abstract

내용 없음.

Description

게이트전극 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 의해 게이트전극을 형성하는 과정을 나타낸 단면도.

Claims (1)

  1. 실리콘 기판 상부에 게이트 산화막을 형성하고 도프된 폴리 실리콘과 금속 실리사이드를 순차적으로 형성하여 폴리사이드를 형성하고 마스크 패턴공정으로 도프된 폴리실리콘과 금속 실리사이드의 소정부분을 제거하여 게이트 전극을 형성한다음, 게이트 전극용 폴리사이드 상부 및 측변에 산화에 의한 실리콘 산화막을 형성한후 N-불순물을 이온주입 공정으로 LDD영역을 형성한다음. 전체적으로 실리콘 산화막을 소정두께로 증착하여 비등방성 식각으로 스페이서를 형성하고 상기 LDD영역에 이온주입으로 N+소오스/드레인 확산영역을 형성하는 것으로 이루어지는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 게이트 전극용 폴리사이드를 형성하고 후공정으로 재산화시에 노출에 의한 폴리사이드가 열화되는 것을 방지하기 위하여, 상기의 LDD영역을 형성한다음, 전체적으로 실리콘 질화막 또는 이에 상응하는 박막을 얇게 증착하는 공정과, 스페이서용 실리콘 산화막을 상기 질화막 상부에 소정두께로 도포한 후에 상기의 질화막 또는 이에 사응하는 절연막을 식각정지점으로 한 비등방성 식각으로 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 공정에 의해 노출된 질화막 또는 이에 상응하는 절연막을 실리콘 산화막과는 선택적 식각으로 완전히 제거하는 공정과, 상기 LDD영역에 이온주입으로 N+소오스/드레인 확산영역을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5904362A (en) * 1994-06-14 1999-05-18 World Industry Co., Ltd. Forward-drive apparatus for a bicycle

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