KR970024308A - 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970024308A KR970024308A KR1019950036966A KR19950036966A KR970024308A KR 970024308 A KR970024308 A KR 970024308A KR 1019950036966 A KR1019950036966 A KR 1019950036966A KR 19950036966 A KR19950036966 A KR 19950036966A KR 970024308 A KR970024308 A KR 970024308A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- gate electrode
- doped drain
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
측벽 스페이서를 형성하기 위한 산화막의 식각시에 폴리실리콘의 게이트 전극이 손상될 수 있고 모스 트랜지스터가 형성된 후속 공정에서 모스 트랜지스터 주변에 콘택홀을 형성할 때 어려움이 따른다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
게이트 전극을 형성하기 전에 마스크 패턴을 이용하여 미리 저도핑 드레인 영역을 형성하여 양호한 게이트 전극을 구비하는 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터를 제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터를 제조하는데 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2A도 내지 제 2C도는 본 발명의 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법에 따른 공정도.
Claims (1)
- 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 포토레지스트를 도포한후 형성될 게이트 전극보다 소정의 폭만큼 작은 영역만을 덮은 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 저도핑 드레인 영역 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 폴리실리콘의 게이트 전극을 형성하는 단계와, 소스/드레인 영역 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계를 포함해서 이루어진저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036966A KR970024308A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036966A KR970024308A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970024308A true KR970024308A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950036966A KR970024308A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970024308A (ko) |
-
1995
- 1995-10-25 KR KR1019950036966A patent/KR970024308A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970024308A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970008580A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR960035906A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970054501A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960026972A (ko) | 저도핑 드레인(ldd) 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR960019768A (ko) | 트랜지스터 제조방법 | |
| KR960015954A (ko) | 전계효과트랜지스터 제조방법 | |
| KR930020716A (ko) | Itldd 구조의 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960043290A (ko) | 이중 게이트 전극 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970053892A (ko) | 모스 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970054382A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR950021269A (ko) | 반도체 소자의 소오스/드레인 형성 방법 | |
| KR930003423A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970054257A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970054256A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR960009216A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR970004095A (ko) | 고집적 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960005895A (ko) | 모스트랜지스터 제조방법 | |
| KR960026959A (ko) | 저도핑 드레인(ldd) 구조의 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR950026026A (ko) | 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970054189A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| KR960035902A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR910001902A (ko) | Mos 트랜지스터에서 게이트 전극막의 경량 도우프 드레인 소오스 형성 방법 | |
| KR960035926A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960036021A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |