KR930003423A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a) 내지 (g)는 이 발명에 따른 LDD구조의 CMOS 반도체 장치 제조수순도이다.
Claims (4)
- 저농도 드레인/소오스 영역을 갖는 CMOS반도체 장치 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 n 및 p웰을 형성하고 소자분리를 위한 필드 산화막 형성 후 활성화 영역에 게이트 산화막과 게이트 전극 및 절연층을 형성하는 단계; p 또는 n웰측 상에 감광막을 도포한 후 개방된 영역상에 저농도 소오스/드레인 영역을 형성하고 게이트 측벽 스페이서를 형성하는 단계; 스페이서 형성의 고농도 소오스/드레인 영역 형성후 스페이서 및 감광막을 제거하여 소자 형성된 측에 또 다른 감광막을 도포하는 단계; 개구된 영역상에 상기 과정에 의한 MOS 트랜지스터 형성하는 단계로 이루어져 LDD 구조의 CMOS 반도체 장치가 형성되도록 함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 게이트 상의 절연층은 재질이 실리콘 질화막이며, 상기 스페이서는 실리콘산화막 이어서 식각시 선택비가 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 절연층과 스페이서의 식각시 선택비는 6 : 1인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 형성된 LDD형 CMOS 반도체 장치의 게이트 측벽에는 스페이서가 형성되어 있지 않음을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910012281A KR930003423A (ko) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 반도체 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910012281A KR930003423A (ko) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 반도체 장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930003423A true KR930003423A (ko) | 1993-02-24 |
Family
ID=67310434
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019910012281A KR930003423A (ko) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 반도체 장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930003423A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420082B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2004-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 모오스 트랜지스터 제조방법 |
| KR100949666B1 (ko) * | 2003-04-29 | 2010-03-29 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1991
- 1991-07-18 KR KR1019910012281A patent/KR930003423A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420082B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2004-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 모오스 트랜지스터 제조방법 |
| KR100949666B1 (ko) * | 2003-04-29 | 2010-03-29 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
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