KR900004035A - 서로 다른 동작영역을 갖는 모스트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
서로 다른 동작영역을 갖는 모스트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 모스트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도.
제3도는 본 발명의 제조공정을 나타낸 단면도.
Claims (2)
- 동일한 칩내에 고압용 소자와 저압용 소자를 구성하기 위하여 고압용 소자의 소오스와 드레인이 이중 확산구조를 갖는 반도체 칩 제조방법에 있어서, 기판위에 1차 게이트 산화막(41)을 형성하고 마스크 공정을 통하여 선택적으로 1차 산화막을 제거한 후 2차 게이트 산화막(42)을 형성하므로써 서로 다른 두께의 게이트 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 서로 다른 동작영역을 갖는 모스트랜지스터의 제조방법.
- 상기 제1항에 있어서, 마스크 공정은 임계전압 조절을 위한 이온 주입공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 서로 다른 동작영역을 갖는 모스트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Applications Claiming Priority (1)
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Family
ID=19276921
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Families Citing this family (2)
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| JP5302493B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2013-10-02 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
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-
1989
- 1989-07-24 JP JP1192467A patent/JPH0282569A/ja active Pending
Also Published As
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| JPH0282569A (ja) | 1990-03-23 |
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