KR920010769A - 국부적 질소이온 주입을 이용한 모스 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
국부적 질소이온 주입을 이용한 모스 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 공정 단면도,
제4도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 공정 단면도.
Claims (2)
- 통상의 방법에 의해 기판에 산화막과 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 전표면 위에 감광제를 입힌 후 선택적으로 제거하고 제거된 부분으로 이온을 주입하는 공정과, 이온이 주입된 상태에서 열처리하여 이온이 주입된 부분이 질화막이 되게하는 공정과, 게이트 산화막, 게이트막을 형성하고 감광제를 사용하여 상기 게이트 산화막, 게이트막을 패터닝하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 국부적 질소이온 주입을 이용한 모스 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 이온을 질소를 사용함을 특징으로 하는 국부적 질소이온 주입을 이용한 모스 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR0178967B1 KR0178967B1 (ko) | 1999-04-15 |
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| KR101016060B1 (ko) * | 2010-07-28 | 2011-02-23 | 주식회사 건정종합건축사사무소 | 에코 투수 보도블럭 조성물 및 이를 이용한 보도블럭 시공방법 |
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1990
- 1990-11-10 KR KR1019900018186A patent/KR0178967B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR0178967B1 (ko) | 1999-04-15 |
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