KR920013755A - 멀티게이트를 사용한 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
멀티게이트를 사용한 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 채널의 길이방향으로 게이트를 배열한 모스 트랜지스터의 단면도 및 등가회로도. 제3도는 본 발명 채널의 폭방향으로 게이트를 배열한 모스트랜지스터의 등가회로도.
Claims (2)
- 채널의 길이방향으로 다수의 게이트를 배열하거나 수직 방향으로 다수의 게이트를 배열하여서 된 멀티게이트를 사용한 모스 트랜지스터.
- 기판위에 산화막, 질화막을 형성하고 마스킹 공정에 의해 선택적 식각한 후 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막, 질화막을 제거하고 이온 주입 후 게이트 산화막, 제1폴리실리콘을 형성하는 공정과, 게이트 마스크 및 식각을 하고 제2게이트 산화막을 형성한 후 제2폴리실리콘을 형성하는 공정과, 제2게이트 마스크를 실시하고 식각하여 측벽스페이서를 형성한 후 N+이온 주입으로 소오스/드레인을 형성하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 멀티게이트를 사용한 모스트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900022046A KR920013755A (ko) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 멀티게이트를 사용한 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900022046A KR920013755A (ko) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 멀티게이트를 사용한 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013755A true KR920013755A (ko) | 1992-07-29 |
Family
ID=67538584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900022046A KR920013755A (ko) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 멀티게이트를 사용한 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920013755A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100808600B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-02-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 모스 트랜지스터 |
-
1990
- 1990-12-27 KR KR1019900022046A patent/KR920013755A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100808600B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-02-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 모스 트랜지스터 |
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