KR920013775A - 트랜치 사용 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a)~(g)는 본 발명에 따른 트랜지를 사용한 트랜지스터 제조공정도
Claims (2)
- 트랜지스터 제조공정에 있어서, 필드 옥사이드를 형성시키고 질화물을 증착시킨후, 게이트 마스크를 이용하여 질화물을 식각하는 공정과, 트렌치(S/D)마스크로 실리콘 기판을 식각 하고 옥사이드로 트렌치를 채운 후 폴리로 트랜치를 채워넣고 질화물을 벗겨내는 공정과, 게이트 산화막과 폴리 및 옥사이드를 증착한후 게이트 마스크로 식각하여 게이트를 형성시키는 공정과, 싸이드월을 형성한후N+소오스/드레인 영역을 형성시키는 공정으로 이루어져 트렌치로 트랜지스터의 소오스와 드레인을 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 사용 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 채널밑에 형성되는 소오스와 드레인을 폴리로 자동도핑 시키는 것을 특징으로 하는 트랜치 사용 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR980006065A (ko) * | 1996-06-27 | 1998-03-30 | 김주용 | 반도체 소자의 접합 영역 형성방법 |
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1990
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