KR920017215A - 실리콘 성장을 이용한 soi의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실리콘 성장을 이용한 SOI의 구성도.
Claims (1)
- 실리콘 기판 위에 선택적 산화에 의한 산화막을 형성시킨 후 상기 산화막위에 실리콘 에피층을 성장시키는 단계와, 상기 실리콘 에피층을 성장시킨 다음에 채널에 이온을 주입하고 포토레지스트를 페턴한 후 이온은 주입하여 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 공정후에는 게이트 산화막과 폴리실리콘층을 형성하고 콘택을 형성하여 알루미늄 금속을 증착시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 성장을 이용한 SOI의 제조방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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1991
- 1991-02-12 KR KR1019910002366A patent/KR0172814B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR0172814B1 (ko) | 1999-03-30 |
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