KR920015632A - 소이모스소자 제조방법 - Google Patents
소이모스소자 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조 공정 단면도.
Claims (1)
- P형 기판위에 산화막과 실리콘단결정 에피텍셜층을 성장시키고 이 실리콘 단결정 에피택셜층내에 P형 분순물을 확산시키는 단계, 게이트산화막과 게이트 폴리실리콘막 및 게이트 캡 실리사이드막으로 이루어진 게이트를 형성하고 P형 저농도 이온주입을 실시하여 실리콘단결정에 피택셜층내에 저농도 소오스/드레인 층을 형성하는 단계, 게이트 측벽산화막을 형성하고 P형 고농도 이온주입을 실시하여 상기 실리콘단결정 에피택셜층내에 고농도 소오스/드레인 층을 형성하는 단계, 소오스/드레인층 연결용 금속전극을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 소이모스소자 제조방법/※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000117A KR920015632A (ko) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 소이모스소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000117A KR920015632A (ko) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 소이모스소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015632A true KR920015632A (ko) | 1992-08-27 |
Family
ID=67396316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000117A KR920015632A (ko) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 소이모스소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920015632A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100705233B1 (ko) * | 2001-12-18 | 2007-04-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-01-07 KR KR1019910000117A patent/KR920015632A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100705233B1 (ko) * | 2001-12-18 | 2007-04-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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