KR970053088A - 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 톱 게이트형 TFT에서 하부의 절연기판에 포함되어 있는 불순물을 반도체층 패턴의 하부로 일정 깊이까지 확산시켜 채널영역의 두께를 감소시키고, 반도체층 패턴과 절연기판의 계면에서의 오프전류를 감소시켰으므로, 공정이 간단하고 온/오프 전류의 비가 증가되어 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터의 횡단면도.
Claims (10)
- 반도체기판상에 불순물을 포함하는 절연재질로 형성되어 있는 절연기판과, 상기 절연기판상에 형성되어 있는 반도체층 패턴과, 상기 반도체층 패턴의 상측에 형성되어 있는 게이트산화막 및 게이트전극과, 상기 게이트전극 양측의 반도체층 패턴에 형성되어 있는 소오스/드레인 영역과, 상기 구조의 반도체층 패턴의 하부에 형성되어 있는 고농도 불순물 영역을 구비하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 절연기관이 BSG, PSG 및 산화막으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 절연재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체층이 단결정, 다결정 및 비정질실리콘으로 이루어진 군에서 임의로 선택되는 하나의 재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 고농도 불순물영역이 N 또는 P형 불순물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 반도체기판상에 불순물을 포함하는 절연기판을 형성하는 공정과, 상기 절연기판상에 반도체층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 패턴을 지나는 게이트산화막과 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 양측의 반도체층 패턴에 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 구조의 반도체기판을 열처리하여 상기 절연기판내에 포함되어 있는 불순물을 반도체층 패턴의 하부로 확산시켜 고농도 불순물 영역을 형성하는 공정을 구비하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 절연기판을 BSG 또는 PSG로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 반도체층을 다결정 또는 비정질실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 반도체기판과 절연기판 및 반도체층의 SOI 구조의 기판을 형성하는 공정과, 상기 절연기판에 불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 반도체층을 패턴닝하여 반도체층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 패턴을 지나는 게이트산화막과 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 양측의 반도체층 패턴에 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 구조의 반도체기판을 열처리하여 상기 절연기판내에 이온주입되어 있는 불순물을 반도체층 패턴의 하부로 확산시켜 고농도 불순물 영역을 형성하는 공정을 공정을 구비하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 절연기판을 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 반도체층이 단결정, 다결정 및 비정질로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066115A KR970053088A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066115A KR970053088A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053088A true KR970053088A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66637699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066115A KR970053088A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053088A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066115A patent/KR970053088A/ko not_active Application Discontinuation
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