KR950025929A - 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 기판(1)에 게이트절연막(2), 게이트전극(3)용 전도막을 차례로 형성한 다음, 상기 게이트전극요 전도막, 게이트절연막(2)을 선택식각하고, 계속 식각공정을 진행하여 반도체 기판(1)에 트랜치를 형성하는 단계; 상대적으로 저농도의 불순물을 도핑하여 LDD영역(4)을 형성한 다음, 전체구조 상부에 절연을 중착한 다음, 스페이서 식각하여 상기 게이트전극(3), 게이트절연막(2)측벽, 및 트랜치 형성된 반도체 기판(1) 상부 소정영역에 스페이서절연막(5)을 형성한 후, 상대적으로 고농도의 불순물을 도핑하여 소스/드레인 영역(6)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 종래 플라나 형의 유효 채널 길이인 게이트전극 이하로도 트랜지스터를 성공정으로 형성할 수 있어 고집적 소자에서의 장애요인을 해소할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 및 제3B도는 제2도의 공정 단면도.
Claims (1)
- 트랜지스터 제조방법에 있어서, 반도체 기판(1)에 게이트절연막(2), 게이트전극(3)용 전도막을 차례료 형성한 다음, 상기 게이트전극용 전도막, 게이트절연막(2)을 선택식각하고, 계속 식각공정을 진행하여 반도체 기판(1)에 트랜치를 형성하는 단계; 상대적으로 저농도의 불순물을 도핑하여 LDD영역(4)을 형성한 다음, 전체구조 상부에 절연을 중착한 다음, 스페이서 식각하여 상기 게이트전극(3), 게이트절연막(2) 측벽, 및 트랜치 형성된 반도체 기판(1) 상부 소정영역에 스페이서절연막(5)을 형성한 후, 상대적으로 고농도의 불순물을 도핑하여 소스/드레인 영역(6)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003879A KR950025929A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003879A KR950025929A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025929A true KR950025929A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66689834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940003879A KR950025929A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025929A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101442177B1 (ko) * | 2008-12-18 | 2014-09-18 | 삼성전자주식회사 | 커패시터 없는 1-트랜지스터 메모리 셀을 갖는 반도체소자의 제조방법들 |
-
1994
- 1994-02-28 KR KR1019940003879A patent/KR950025929A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101442177B1 (ko) * | 2008-12-18 | 2014-09-18 | 삼성전자주식회사 | 커패시터 없는 1-트랜지스터 메모리 셀을 갖는 반도체소자의 제조방법들 |
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