KR970072477A - 모오스 트랜지스터의 구조 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 고전류를 사용하는 소자에 적합하도록 한 모오스(MOS) 트랜지스터의 구조 및 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 모오스 트랜지스터의 구조 및 제조방법은 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 소정깊이에 형성되는 산화막과, 상기 산화막위에 형성되는 저농도 불순물 영역과, 상기 저농도 불순물 영역에 소정깊이로 형성되는 고농도 불순물 영역과, 상기 반도체 기판에 고농도 불순물 영역이 격리되도록 형성되는 브이 홈을 갖는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측의 고농도 불순물 영역과 연결되도록 형성되는 소오소/드레인 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
따라서 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 채널 길이가 매우 짧으므로 고전류를 얻을 수 있다.
둘째, 브이(V)형의 홈으로 소오스/드레인 영역을 격리시킴으로써 펀치 스루(Punch Through)현상을 제거할 수 있다.
셋째, 채널 길이를 중심으로써 고집적화할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 모오스 트랜지스터의 구조단면도, 제4도는 본 발명의 모오스 트랜지스터의 제조공정 단면도.
Claims (3)
- 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 소정깊이에 형성되는 산화막과, 상기 산화막위에 형성되는 저농도 불순물 영역과, 상기 저농도 불순물 영역에 소정깊이로 형성되는 고농도 불순물 영역과, 상기 반도체 기판에 고농도 불순물 영역이 격리되도록 형성되는 브이 홈을 갖는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측의 고농도 불순물 영역과 연결되도록 형성되는 소오스/드레인 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 구조.
- 반도체 기판을 준비하는 단계, 상기 반도체 기판의 소정깊이에 산화막을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판 전면에 고농도 불순물 이온을 주입하여 상기 산화막위에 저농도 불순물 영역을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판 전면에 고농도 불순물 이온을 주입하여 상기 저농도 불순물 영역에 소정 깊이로 고농도 불순물 영역을 형성하는 단계, 상기 고농도 및 저농도 불순물 영역의 소정영역을 선택적으로 제거하여 브이 홈을 형성하는 단계, 상기 브이 홈 전면에 게이트 산화막을 형성하는 단계, 상기 브이 홈내에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 양측의 고농도 불순물 영역과 연결되도록 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 게이트 전극을 고농도로 도핑된 폴리실리콘을 사용함을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.※참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960010283A KR970072477A (ko) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 모오스 트랜지스터의 구조 및 제조방법 |
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| KR1019960010283A KR970072477A (ko) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 모오스 트랜지스터의 구조 및 제조방법 |
Publications (1)
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| KR970072477A true KR970072477A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66222528
Family Applications (1)
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| KR1019960010283A KR970072477A (ko) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 모오스 트랜지스터의 구조 및 제조방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR970072477A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100771539B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-10-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-04-04 KR KR1019960010283A patent/KR970072477A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100771539B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-10-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| US7511337B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-03-31 | Hynix Semiconductor Inc. | Recess gate type transistor |
| US7678653B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-03-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of fabricating a recess gate type transistor |
| US7687852B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-03-30 | Hynix Semiconductor Inc. | Recess gate type transistor |
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