KR930001478A - 모스패트의 구조 및 제조 방법 - Google Patents
모스패트의 구조 및 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 모스패트의 공정단면도.
Claims (2)
- LDD구조의 소오스/드레인을 갖는 트렌치형 모스패트에 있어서, 상기 LDD구조를 이루은 n-층 밑부분에만 p-층을 형성함을 특징으로 하는 모스패트의 구조.
- 기판(1)에 필드산화막(2)을 성장시킨 후 산화막(3)과 질화막(4)을 증착하는 공정과, P/R(5)을 사용하여 상기 질화막(4)을 선택적 식각하고 폴리실리콘(6)을 증착하여 측벽을 형성하는 공정과, 상기 측벽을 이용하여 산화막(3)을 식각하고 측벽을 제거한 후 n-이온, p->이온을 주입하는 공정과, 표면에 드러난 산화막(3)을 이용하여 기판(1)을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 트렌치에 게이트 산화막(7)을 형성한 후 폴리실리콘(8)을 증착하여 질화막(4)이 제거될 때까지 에치 백하는 공정과, 산화막(9)과 BPSG(10)을 증착하고 메탈 콘택을 식각하여 메탈(11)을 증착하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 모스패트의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910009917A KR940006705B1 (ko) | 1991-06-15 | 1991-06-15 | 모스패트의 구조 및 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910009917A KR940006705B1 (ko) | 1991-06-15 | 1991-06-15 | 모스패트의 구조 및 제조방법 |
Publications (2)
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| KR930001478A true KR930001478A (ko) | 1993-01-16 |
| KR940006705B1 KR940006705B1 (ko) | 1994-07-25 |
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| KR1019910009917A KR940006705B1 (ko) | 1991-06-15 | 1991-06-15 | 모스패트의 구조 및 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940006705B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450652B1 (ko) * | 1997-08-22 | 2004-12-17 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 트렌치형파워모스펫및그제조방법 |
-
1991
- 1991-06-15 KR KR1019910009917A patent/KR940006705B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450652B1 (ko) * | 1997-08-22 | 2004-12-17 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 트렌치형파워모스펫및그제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940006705B1 (ko) | 1994-07-25 |
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