KR910001930A - 자기정렬된 저도핑된 접합형성방법 - Google Patents
자기정렬된 저도핑된 접합형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910001930A KR910001930A KR1019890009234A KR890009234A KR910001930A KR 910001930 A KR910001930 A KR 910001930A KR 1019890009234 A KR1019890009234 A KR 1019890009234A KR 890009234 A KR890009234 A KR 890009234A KR 910001930 A KR910001930 A KR 910001930A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- self
- formation method
- junction formation
- doped junction
- low doped
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정에 따른 단면도.
Claims (1)
- 반도체의 접합형성 제조방법에 있어서, 필드산화막이 형성된 기판상에 게이트산화층, 폴리-Ⅰ 및 LTO증착패터닝하고 LTO증착 및 측벽엣치하고 폴리-Ⅱ증착 및 이온주입하고 폴리-Ⅱ정의 및 기판에 확산시키는 방법으로 얻어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 저도핑된 접합형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890009234A KR0140996B1 (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 자기정렬된 저도핑된 접합형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890009234A KR0140996B1 (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 자기정렬된 저도핑된 접합형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910001930A true KR910001930A (ko) | 1991-01-31 |
KR0140996B1 KR0140996B1 (ko) | 1998-07-15 |
Family
ID=19287676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890009234A KR0140996B1 (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 자기정렬된 저도핑된 접합형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0140996B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190081081A (ko) | 2017-12-29 | 2019-07-09 | (주)에스엠테크 | 디아민 화합물과 알루미네이트계 화합물을 포함하는 광물 미분쇄용 분쇄조제 조성물 및 이를 사용한 광물의 미분쇄방법 |
-
1989
- 1989-06-30 KR KR1019890009234A patent/KR0140996B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190081081A (ko) | 2017-12-29 | 2019-07-09 | (주)에스엠테크 | 디아민 화합물과 알루미네이트계 화합물을 포함하는 광물 미분쇄용 분쇄조제 조성물 및 이를 사용한 광물의 미분쇄방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0140996B1 (ko) | 1998-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900019171A (ko) | 나이트라이드 층으로 전도층을 덮어 반도체 소자를 제조하는 방법 | |
KR910001930A (ko) | 자기정렬된 저도핑된 접합형성방법 | |
KR950024300A (ko) | 트렌치형 소자분리구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR970054438A (ko) | 경사진 게이트 산화막을 갖는 전력용 모스 소자 및 그 제조 방법 | |
KR930015081A (ko) | 얕은 접합 모스패트 제조방법 | |
KR920001743A (ko) | Ldd구조 및 제조방법 | |
KR960036145A (ko) | 고집적 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR940001460A (ko) | 반도체 소자의 ldd 제조방법 | |
KR910020843A (ko) | 반도체의 도핑 영역 제조방법 | |
KR910005441A (ko) | 실리사이드를 사용한 매설 접촉 형성방법 | |
KR910013426A (ko) | 디램의 트랜지스터 제조방법 | |
KR920022552A (ko) | 라운드 트랜치 게이트를 갖는 반도체메모리소자의 제조방법 | |
KR930001478A (ko) | 모스패트의 구조 및 제조 방법 | |
KR910013260A (ko) | 디램의 트랜지스터 제조방법 | |
KR930005243A (ko) | 얕은 접합을 이용한 트랜지스터의 구조 및 제조방법 | |
KR910005483A (ko) | 캐패시터 제조 방법 | |
KR910020933A (ko) | 씨 모스 트랜지스터 제조방법 | |
KR970018704A (ko) | 수직구조의 mos트랜지스터를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR920020674A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR970003520A (ko) | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR920022494A (ko) | 반도체 장치의 소자 격리 방법 | |
KR910013550A (ko) | 고용량 스택 셀 제조방법 | |
KR920015615A (ko) | 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 | |
KR920011562A (ko) | Ldd구조의 트랜지스터 제조방법 | |
KR930015053A (ko) | 고속 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100224 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |