KR920022494A - 반도체 장치의 소자 격리 방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자 격리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a)-(k)는 본 발명에 따른 반도체 장치의 소자격리 방법을 설명하기 위한 제조공정도이다.
Claims (2)
- 반도체 기판상에 제1산화막을 성장시키고 그위에 제1질화막을 증착시키는 공정과, 필드영역상의 상기 제1산화막 및 제1질화막을 제거하고 전면에 제2질화막과 제2산화막을 차례로 증착시키는 공정과, 상기 제2 산화막을 RIE하여 측벽을 형성시킨후 상기 측벽을 마스크로 하여 노출된 상기 제2질화막을 제거하고 상기 반도체 기판에 채널스톱용 불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 측벽을 제거하고 필드영역에 제3산화막을 성장시킨후 상기 제3산화막을 제거하는 공정과, 노출된 상기 반도체 기판의 표면에 제4산화막을 성장시키고 전면에 제3질화막을 증착시키는 공정과, 상기 반도체 기판의 노출된 측면과 상기 측면을 잇는 상기 제2질화막의 밑면에만 상기 제4산화막과 상기 제3질화막을 남긴후 노출된 상기 반도체 기판에 채널 스톱용 불순물을 이온 주입하는 공정과, 상기 노출된 상기 반도체 기판에 윈하는 두께의 제5산화막을 성장시키는 공정과, 남아있는 상기 제1, 제2 및 제3질화막과 상기 제1산화막을 제거하는 공정으로 이루어지는 반도체 장치의 소자 격리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3산화막을 성장하여 제거하는 공정은 상기 반도체 기판의 필드영역에 소정 깊이로 오목하게 파인 형상을 갖도록 함을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 격리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019910007878A KR920022494A (ko) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 반도체 장치의 소자 격리 방법 |
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| KR1019910007878A KR920022494A (ko) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 반도체 장치의 소자 격리 방법 |
Publications (1)
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| KR920022494A true KR920022494A (ko) | 1992-12-19 |
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Family Applications (1)
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| KR1019910007878A KR920022494A (ko) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 반도체 장치의 소자 격리 방법 |
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR920022494A (ko) |
-
1991
- 1991-05-15 KR KR1019910007878A patent/KR920022494A/ko not_active Application Discontinuation
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