KR920021004A - 반도체 장치의 소자격리방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자격리방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)-(g)는 본 발명의 1실시예에 따른 제조공정도이다.
Claims (3)
- 반도체 기판상에 제1상화막, 질화막, 제2산화막을 차례로 증착시키는 공정과, 필드 영역상의 상기 제1산화막, 상기 질화막, 상기 제2산화막을 제거하여 상기 반도체 기관을 노출시키는 공정과, 그 측면에 질화막 측벽을 형성한 후 채널 스톱을 위한 제1불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 질화막 측벽으로 제한된 필드 영역에 필드 산화막을 1차 성장시키는 공정과, 상기 질화막 측벽을 제거하고 노출된 반도체 기판 표면에 상기 제1불순물의 측면 방지용 제2불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 필드 영역의 상기 필드 산화막을 2차 성장시키는 공정과, 남아있는 상기 제1산화막, 질화막, 제2산화막을 제거하는 공정으로 이루어진 반도체 장치의 소자격리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드영역상의 반도체 기판 노출 공정은 소정의 깊이까지 식각됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 격리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1불순물이 붕소일 경우 상기 제2불순물은 인을 사용함을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자격리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910006018A KR920021004A (ko) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 반도체 장치의 소자격리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910006018A KR920021004A (ko) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 반도체 장치의 소자격리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR920021004A true KR920021004A (ko) | 1992-11-21 |
Family
ID=67432644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910006018A KR920021004A (ko) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 반도체 장치의 소자격리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920021004A (ko) |
-
1991
- 1991-04-15 KR KR1019910006018A patent/KR920021004A/ko not_active Application Discontinuation
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