KR920010917A - 트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조방법 - Google Patents

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KR920010917A
KR920010917A KR1019900018368A KR900018368A KR920010917A KR 920010917 A KR920010917 A KR 920010917A KR 1019900018368 A KR1019900018368 A KR 1019900018368A KR 900018368 A KR900018368 A KR 900018368A KR 920010917 A KR920010917 A KR 920010917A
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김성철
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices

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Abstract

내용 없음

Description

트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (a)-(i)는 본 발명에 따른 트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조 공정도이다.

Claims (4)

  1. (a)실리콘기판상에 초기산화막, 질화막을 차례로 형성하는 공정과, (b)필드영역과 상기 필드영역에서 연장된 소자형성영역의 소정의 부분까지의 상기 질화막, 상기 초기산화막을 제거하여 실리콘기판을 노출시키는 공정과, (c)포토레지스트를 마스크로 사용하여 상기 필드영역내에 채널스톱을 위한 불순물을 주입하는 공정과, (d)상기 포토레지스트를 제거한 후 상기 노출된 실리콘기판의 산화막 성장에 의하여 필드산화막을 형성하는 공정과, (e)상기 소자형성영역상의 상기 질화막, 상기 초기산화막을 제거하는 공정과, (f)상기 소자형성영역의 성장된 상기 필드산화막을 제거하는 공정과, (g)통상의 공정에 의하여 스택커패시터를 형성하는 공정으로 이루어진 트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고정(b)에서의 상기 소자형성영역의 연장된 부분은 트랜치가 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 공정(g)에서 상기 트랜치에 콘택영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공정(f)후에 상기 소자형성영역상의 식각에 의한 표면손상을 줄이기 위해 희생산화막을 형성하고 제거하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 트랜치를 이용하는 스택커패시터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019900018368A 1990-11-13 1990-11-13 트랜치를 이용한 스택 커패시터의 제조방법 KR930006974B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100245248B1 (ko) * 1996-12-28 2000-02-15 김영환 반도체장치의 제조방법

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