KR920015651A - 고전압 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조 공정단면도.
Claims (1)
- 기판상에 배리어 산화막과 질화막을 차례로 형성한 다음 포토/에치 공정을 거쳐 액티브 영역외의 질화막을 제거하는 단계, 필드산화를 실시하여 배리어 산화막을 상기 질화막의 두께까지 확장하여 성장시키는 단계, 소정형의 트랜지스터 패턴형성을 위한 포토/에치 공정을 실시하여 상기 배리어 산화막과 질화막의 불필요한 부분을 제거하는 단계, 상기 배리어 산화막과 질화막이 제거된 부위에 불순물을 주입하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 고전압 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019910000713A KR0179019B1 (ko) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 고전압 소자 제조방법 |
Publications (2)
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| KR920015651A true KR920015651A (ko) | 1992-08-27 |
| KR0179019B1 KR0179019B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=19309949
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR0179019B1 (ko) |
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1991
- 1991-01-17 KR KR1019910000713A patent/KR0179019B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR0179019B1 (ko) | 1999-03-20 |
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