KR900007076A - 바이플라 소자의 분리층 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 종래의 특성도.
제 3 도는 본 발명의 제조 공정도.
제 4 도는 본 발명에 따른 특성도.
Claims (1)
- 기판상에 산화층과 광저항층을 적층하고 이온주입이 시행될 부분의 광저항층을 제거하여 창을 만드는 단계와, 상기 창을 통하여 붕소이온을 주입하고 붕소이온 소오스를 확신시켜 어닐링시키는 단계와, 상기 산화층을 제거하고 에피택셜 층을 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 바이플라 소자의 분리층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880014224A KR0124562B1 (ko) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 바이폴라소자의 분리층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880014224A KR0124562B1 (ko) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 바이폴라소자의 분리층 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900007076A true KR900007076A (ko) | 1990-05-09 |
| KR0124562B1 KR0124562B1 (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=19278896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880014224A KR0124562B1 (ko) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 바이폴라소자의 분리층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0124562B1 (ko) |
-
1988
- 1988-10-31 KR KR1019880014224A patent/KR0124562B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0124562B1 (ko) | 1997-12-10 |
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