KR900007076A - 바이플라 소자의 분리층 형성방법 - Google Patents
바이플라 소자의 분리층 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR900007076A KR900007076A KR1019880014224A KR880014224A KR900007076A KR 900007076 A KR900007076 A KR 900007076A KR 1019880014224 A KR1019880014224 A KR 1019880014224A KR 880014224 A KR880014224 A KR 880014224A KR 900007076 A KR900007076 A KR 900007076A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bipla
- separation layer
- formation method
- layer formation
- layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 종래의 특성도.
제 3 도는 본 발명의 제조 공정도.
제 4 도는 본 발명에 따른 특성도.
Claims (1)
- 기판상에 산화층과 광저항층을 적층하고 이온주입이 시행될 부분의 광저항층을 제거하여 창을 만드는 단계와, 상기 창을 통하여 붕소이온을 주입하고 붕소이온 소오스를 확신시켜 어닐링시키는 단계와, 상기 산화층을 제거하고 에피택셜 층을 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 바이플라 소자의 분리층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880014224A KR0124562B1 (ko) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 바이폴라소자의 분리층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880014224A KR0124562B1 (ko) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 바이폴라소자의 분리층 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900007076A true KR900007076A (ko) | 1990-05-09 |
| KR0124562B1 KR0124562B1 (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=19278896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880014224A KR0124562B1 (ko) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 바이폴라소자의 분리층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0124562B1 (ko) |
-
1988
- 1988-10-31 KR KR1019880014224A patent/KR0124562B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0124562B1 (ko) | 1997-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910001971A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR880008448A (ko) | 측면 격리 소자 분리방법 | |
| KR890001168A (ko) | 반도체 장치에서의 절연산화물 형성방법 및 그 방법에 따라 제조된 반도체 장치 | |
| KR900007076A (ko) | 바이플라 소자의 분리층 형성방법 | |
| KR880010495A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR910013463A (ko) | 반도체 소자의 개구형성방법 | |
| KR910001943A (ko) | 바이포울러 씨모스의 제조방법 | |
| KR920013824A (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR920010770A (ko) | 필드 산화막 제조방법 | |
| KR940016887A (ko) | 반도체 소자의 미세 게이트전극 형성방법 | |
| KR920017211A (ko) | Ic 내 리액터 제조방법 | |
| KR910001930A (ko) | 자기정렬된 저도핑된 접합형성방법 | |
| KR910001881A (ko) | 고속용 바이폴라 트랜지스터 제조방법 | |
| KR920015651A (ko) | 고전압 소자 제조방법 | |
| KR920015615A (ko) | 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR920015455A (ko) | 반도체 소자의 에피택셜 성장공정 | |
| KR880009445A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR920015532A (ko) | 디램 셀 제조방법 | |
| KR910016091A (ko) | 사이드월 제조방법 | |
| KR920017212A (ko) | 트렌치 형성방법 | |
| KR910017634A (ko) | 메모리 셀 커패시터 제조방법 | |
| JPS57121277A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| KR890017815A (ko) | 옥사이드층 위에 이온주입하여 얇은 접합을 형성하는 방법 | |
| KR890002993A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR920007108A (ko) | O2플라즈마를 이용한 에치방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050822 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |