KR920017212A - 트렌치 형성방법 - Google Patents

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이병일
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문정환
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof

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Abstract

내용 없음

Description

트렌치 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 공정 단면도.

Claims (1)

  1. 기판위에 통상의 방법으로 트렌치를 형성하는 단계, 트렌치상에 얇은 산화막을 형성하고 그 위에 트렌치가 소정폭의 구멍을 갖도록 스텝 커버리지가 불량하게 질화막을 증착하는 단계, 상기 구멍 사이로 비등방성 에치를 실시하여 트렌치 밑면의 상기 산화막과 질화막을 소정폭만큼 제거하는 단계, 상기 소정폭만큼 오픈된 기판상에 다시 비등방성 에치를 실시하여 트렌치 밑면을 큰 곡률을 갖는 형태로 형성하는 단계, 상기 산화막과 질화막을 잔여부분을 제거하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 트렌치 형성방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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