KR970052723A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 산화막 스페이서 식각 공정시 가스 비율을 조정하여 스페이서 폭을 조절할 수 있도록 한 반도체 소자 제조방법이 개시된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부된 도면은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자 제조방법에 있어서, 사이드 윌 옥사이드 스페이서 식각시 CHF3:CF4의 가스 비율을 이용하여 스페이서의 폭을 조절하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046316A KR970052723A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046316A KR970052723A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052723A true KR970052723A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66593516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950046316A KR970052723A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052723A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000043225A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체소자의 질화막 식각방법 |
-
1995
- 1995-12-04 KR KR1019950046316A patent/KR970052723A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000043225A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체소자의 질화막 식각방법 |
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Legal Events
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |