KR960026351A - 스페이서절연층 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조 공정 중 절연층 패턴 형성방법에 관한 것으로, 예정된 절연층형성 영역 이외의 영역에 마스크층을 형성한 후 노출된 패턴형성 영역에 절연층을 형성함으로써 건식식각 공정없이 스페이서절연층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명의 일 실시예에 따른 스페이서절연층 형성 공정 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자 제조 공정 중 절연층 패턴 형성방법에 있어서, 예정된 절연층형성 영역 이외의 영역에 마스크층을 형성한 후 노출된 패턴형성 영역에 절연층을 형성함으로써 건식식각 공정 없이 스페이서절연층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스페이서절연층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크층은 감광막층인 것을 특징으로 하는 스페이서절연층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034275A KR960026351A (ko) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 스페이서절연층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034275A KR960026351A (ko) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 스페이서절연층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026351A true KR960026351A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940034275A KR960026351A (ko) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 스페이서절연층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026351A (ko) |
-
1994
- 1994-12-14 KR KR1019940034275A patent/KR960026351A/ko not_active Application Discontinuation
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