KR970003482A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 웨이퍼상에 형성된 절연막 상부에 감광막을 형성한 후 건식식각, 습식식각 순서로 절연막을 식각하고, 상기 감광막의 측벽 기울기가 완만하게 될때까지 콘택홀 마스크를 경화(Hard bake)한 후 건식식각을 실시하므로써, 금속증착공정시 스탭커버리지를 향상시킬 수 있고, 또한 콘택홀 패턴의 감광막을 경화시켜 감광막 패턴의 측벽 기울기를 낮춤으로서 절연막의 건식식각시 완만한 콘택홀을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 복잡한 감광막 공정을 생략할 수 있도록 한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 콘택 형성방법에 있어서, 웨이퍼상에 절연막을 형성하고, 그 상부에 콘택용 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 건식식각 공정을 통하여 상기 노출된 콘택영역의 절연막을 일정 두께로 식각하여 제1콘택홀을 형성하는 단계와, 습식식각 공정을 통하여 상기 제1콘택홀의 측벽과 저부의 절연막을 일정두께로 식각하여 제2콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택용 감광막 패턴을 경화시켜 감광막 측벽을 기울게 형성하는 단계와, 건식식각 공정을 통하여 상기 제2콘택홀 저부의 절연막을 식각하여 상기 웨이퍼가 노출 되도록 제3콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀 감광막 패턴을 제거하여 완성된 콘택홀을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017283A KR970003482A (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017283A KR970003482A (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003482A true KR970003482A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66540368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950017283A KR970003482A (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003482A (ko) |
-
1995
- 1995-06-24 KR KR1019950017283A patent/KR970003482A/ko not_active Application Discontinuation
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