KR980005475A - 반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 제1금속배선에 제2금속배선을 접속시키기 위해 제1금속배선 상부에 제1내부절연막, 평탄화층인 SOG 절연막 및 제2내부절연막을 순차적으로 형성하고, 그 상부에 비아콘택마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 감광막패턴을 형성한 다음, 이를 마스크로하여 습식 및 건식식각공정을 실시함으로써 상기 제1금속배선을 노출시키는 비아콘택홀을 형성하는 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법에 있어서, 상기 건식식각공정후에 측면식각특성이 우수한 다른 건식식각공정을 실시하고 상기 감광막패턴을 제거하여 상부가 넓은 비아콘택홀을 형성함으로써 후속공정이 용이하게 실시할 수 있도록 하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 본 발명의 실시에에 따른 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (2)
- 제1금속배선에 제2금속배선을 접속시키기 위해 제1금속배선 상부에 제1내부절연막, 평탄화층인 SOG 절연막 및 제2내부절연막을 순차적으로 형성하고, 그 상부에 비아콘택마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 감광막패턴을 형성한 다음, 이를 마스크로하여 습식 및 건식식각공정을 실시함으로써 상기 제1금속배선을 노출시키는 비아콘택홀을 형성하는 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법에 있어서, 상기 건식식각공정후에 측면식각특성이 우수한 다른 건식식각공정을 실시하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다른 건식식각공정은 O2+CF4플라지마를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023222A KR980005475A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023222A KR980005475A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005475A true KR980005475A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023222A KR980005475A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005475A (ko) |
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023222A patent/KR980005475A/ko not_active Application Discontinuation
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