KR970023728A - 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래에는 콘택 홀 형성수행시 상기 콘택 홀 내의 수분제거를 위한 2단계의 큐어링을 실시하는 동안 상기 SOG막이 수축되어 상기 콘택 홀에 단차를 형성시킴으로써 후속공정인 금속층을 증착할 경우에 상기 금속층에 돌출부(Overhang)가 형성되어 금속 배선의 스텝 커버리지에 악영향을 끼지게 되는 문제점이 발생함.
3. 발명의 해결방법의 요지
큐어링 공정으로 인하여 상기 SOG막이 수축되면서 형성되는 단차를 제거하기 위한 식각 공정을 추가로 실시하여 콘택 홀의 단차 형성을 방지할 수 있는 반도체 소자의 콘택 홀 형성방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 제조, 특히 반도체 소자의 콘택 홀 형성에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2A도 내지 제 2C도는 본 발명의 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법에 따른 제조 공정도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 층간 절연막과 금속층이 형성된 전체 구조 상부에 제1 금속 배선간 절연막, 스핀 온 글래스막, 제2 금속 배선간 절연막을 차례로 형성한후 소정의 사진 식각 공정을 수행하여 제1 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 제1 콘택 홀 내의 수분 제거를 위한 두단계의 큐어링을 실시하는 단계와, 상기 제1 콘택 홀은 오픈되고 나머지 부분은 가려지도록 하는 포토레지스트 패턴은 형성하는 단계 및, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 상기 제1 콘택 홀은 식각하여 제2 콘택 홀을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036971A KR970023728A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036971A KR970023728A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023728A true KR970023728A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66583900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950036971A KR970023728A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023728A (ko) |
-
1995
- 1995-10-25 KR KR1019950036971A patent/KR970023728A/ko not_active Application Discontinuation
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