KR980005474A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents
반도체 소자 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980005474A KR980005474A KR1019960023217A KR19960023217A KR980005474A KR 980005474 A KR980005474 A KR 980005474A KR 1019960023217 A KR1019960023217 A KR 1019960023217A KR 19960023217 A KR19960023217 A KR 19960023217A KR 980005474 A KR980005474 A KR 980005474A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating film
- interlayer insulating
- semiconductor device
- barrier layer
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 미세 크기의 콘택이 구비되는 반도체소자 제조시 층간 절연막의 손실을 방지할 수 있도록 하기 위하여 상기 층간 절연막 상부에 후속 공정에서 콘택홀의 측벽에 형성되는 절연막 스페이서와 식각선택비가 큰 물질인 베리어층을 형성한 후, 후속 공정을 진행하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 실시예에 의해 미세크기의 콘택홀이 구비되는 반도체소자의 제조과정을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체 기판 상부에 제1도전 배선을 형성하는 단계와, 상기 제1도전 배선 상부에 층간 절연막을 증착하는 단계와, 상기 층간 절연막 상부에 베리어층을 증착하는 단계와, 콘택 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 베리어층과 층간 절연막을 일정부분 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계와, 전체적으로 제2도전층을 증착하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막은 BPSG로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 베리어층은 상기 절연막 스페이서와 식각선택비가 큰 물질인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 베리어층은 실리콘층으로 형성하고 절연막 스페이서는 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 한느 반도체소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960023217A KR980005474A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960023217A KR980005474A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR980005474A true KR980005474A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960023217A KR980005474A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR980005474A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100620703B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-09-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 본딩 패드 구조 및 그 형성방법 |
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023217A patent/KR980005474A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100620703B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-09-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 본딩 패드 구조 및 그 형성방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950001901A (ko) | 콘택홀 제조방법 | |
KR940012650A (ko) | 반도체 소자의 콘택제조방법 | |
KR970072325A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR980005474A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
KR970052439A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
KR970052336A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR970053546A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 | |
KR980005626A (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성방법 | |
KR960039285A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
KR970023755A (ko) | 반도체 소자의 도전층간 절연 방법 | |
KR970052322A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
KR940012572A (ko) | 반도체 장치에서의 콘택트 형성방법 | |
KR960002744A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR970052381A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
KR960012324A (ko) | 반도체소자의 게이트전극 콘택 및 그 제조방법 | |
KR970052364A (ko) | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 | |
KR960002576A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
KR960039397A (ko) | 마스크롬 셀 제조방법 | |
KR960043176A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
KR970052391A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 | |
KR970030355A (ko) | 고신뢰성 비아콘택 형성을 위한 금속층간 절연막 형성방법 | |
KR960005957A (ko) | 다층배선 형성방법 | |
KR960002563A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR980005671A (ko) | 반도체 장치의 스택콘택 형성방법 | |
KR980005466A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |