KR970052364A - 반도체 장치의 콘택 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치의 콘택 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
불순물 확산영역과 도전층 또는 배선층을 접촉시키기 위한 반도체 장치의 콘택 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판에 형성된 층간절연층을 식각하여 N+및 P+영역을 오픈시키는 콘택홀을 동시에 형성하는 단계, 콘택홀이 형성된 결과물상에 도전물질을 증착하여 N+및 P+영역과 동시에 접촉하는 도전층을 형성하는 단계, 도전층이 형성된 결과물 상에, 도전물질을 증착한 후, 에치백하여 콘택홀을 채우는 단계 및 결과물 상에 배선층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 기존의 물질을 그대로 이용하면서 N+및 P+콘택을 동시에 형성할 수 있으며, 콘택홀을 완전히 매몰함으로써 표면이 평탄화되어 후속 공정을 용이하게 할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2D도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 콘택 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (3)
- 반도체기판에 형성된 층간절연층을 식각하여 N+및 P+영역을 오픈시키는 콘택홀을 동시에 형성하는 단계, 콘택홀이 형성된 결과물상에 도전물질을 증착하여 N+및 P+영역과 동시에 접촉하는 도전층을 형성하는 단계, 도전층이 형성된 결과물 상에, 도전물질을 증착한 후, 에치백하여 콘택홀을 채우는 단계 및 결과물 상에 배선층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층 또는 배선층은 실리사이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택홀을 매몰시키는 도전물질은 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057073A KR970052364A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057073A KR970052364A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052364A true KR970052364A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057073A KR970052364A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052364A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678859B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2007-02-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057073A patent/KR970052364A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678859B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2007-02-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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