KR960039397A - 마스크롬 셀 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 마스크롬 셀 제조방법은 반도체 기판상에 산화막과 질화막을 순차적으로 형성시키는 단계와, 필드영역의 산화막과 질화막을 제거하고, 필드영역의 기판을 식각하여 트렌치를 형성시키는 단계와, 트렌치의 표면을 산화하여 산화막을 형성시키고, 액티브영역의 질화막을 제거하는 단계와, 표면에 산화막을 형성시킨 트렌치를 매립시키면서, 액티브 영역의 산화막과 필드영역의 트렌치 위에 도전물질층을 형성시키는 단계와, 도전물질층을 에치백하고, 액티브영역의 산화막을 제거하여 트렌치에서 산화막에 의해 기판과 절연되면서 각 단위소자를 격리시키는 격리층 또는 비트라인인 도전층을 형성시키는 단계와, 액티브영역에 게이트라인을 형성시키고, 기판 전면에 층간절연막을 형성시킨 후에, 층간절연막에 비트라인콘택영역을 개방시키는 콘택홀을 형성시키고, 콘택홀 위에 금속배선층을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도∼제4도는 본 발명에 의한 마스크롬 셀 제조방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (1)
- 반도체 장치의 마스크롬 셀 제조방법에 있어서, (1) 반도체 기판상에 산화막과 질화막을 순차적으로 형성시키는 단계와, (2) 필드영역의 상기 산화막과 질화막을 제거하고 상기 필드영역의 기판을 식각하여 트렌치를 형성시키는 단계와, (3) 상기 트렌치의 표면을 산화하여 산화막을 형성시키고, 액티브영역의 질화막을 제거하는 단계와, (4) 표면에 산화막을 형성시킨 상기 트렌치를 매립시키면서, 상기 액티브영역의 상기 산화막과 상기 필드영역의 트렌치 위에 도전물질층을 형성시키는 단계와, (5) 상기 도전물질층을 에치백하고, 상기 액티브영역의 상기 산화막을 제거하여 상기 트렌치에서 상기 산화막에 의해 기판과 절연되면서 각 단위소자를 격리시키는 격리층과 비트라인인 도전층을 형성시키는 단계와, (6) 상기 액티브영역에 게이트라인을 형성시키고, 기판 전면에 층간절연막을 형성시킨 후에, 상기 층간절연막에 비트라인콘택영역을 개방시키는 콘택홀을 형성시키고, 상기 콘택홀 위에 금속층을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 마스크롬 셀 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100700279B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-03-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플랫 노아 마스크롬의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-04-06 KR KR1019950007921A patent/KR100356825B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR100700279B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-03-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플랫 노아 마스크롬의 제조 방법 |
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Publication number | Publication date |
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KR100356825B1 (ko) | 2003-01-29 |
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