KR960042931A - Soi 구조를 갖는 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

SOI 구조를 갖는 반도체장치의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 매몰 산화층의 상/하부에 단결정 실리콘층을 갖는 SOI 기판을 사용하여 상기 상부 단결정 실리콘층과 상기 매몰 산화층의 소정부분을 식각하여 제거함으로써, 상/하부의 단결정 실리콘층에 각각 SOI 트랜지스터 및 벌크 트랜지스터를 형성할 수 있는 기판을 제공한다. 본 발명에 의하면, 하나의 기판에 통상의 벌크 트랜지스터와 서브쓰레시올드스윙 특성이 우수한 SOI 트랜지스터를 함께 형성할 수 있다. 따라서, 저전압에서 동작이 가능한 반도체장치에서 적합한 낮은 문턱전압을 갖는 SOI 트랜지스터를 형성할 수 있다.

Description

SOI 구조를 갖는 반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 의한 SOI 구조를 갖는 반도체장치의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.

Claims (6)

  1. SOI 트랜지스터와 벌크 트랜지스터를 함께 구비하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 매몰 산화층의 상/하부에 단결정 실리콘층이 형성된 SOI 기판의 상부에 제1절연층 및 제1산화 저지층을 차례로 형성하는 단계; 상기 벌크 트랜지스터가 형성될 하부 단결정 실리콘층의 일부분이 노출되도록 제1산화 저지층 패턴, 제1절연층 패턴, 상부 단결정 실리콘층 패턴, 및 매몰 산화층 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1산화 저지층 패턴, 제1절연층 패턴, 상부 단결정 실리콘층 패턴, 및 매몰 산화층 패턴 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제1산화 저지층 패턴 및 상기 노출된 하부 단결정 실리콘층 상부에 희생 산화층을 형성하는 단계; 상기 희생 산화층을 제거한 후, 기판 전면에 제2절연층 및 제2산화 저지층을 차례로 형성하는 단계; 상기 하부 단결정 실리콘층 상부에 형성된 제2절연층의 일 부분이 노출되도록 제2산화 저지층 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 제2절연층 및 그 아래에 각각 우물 산화층 및 제1도전형 우물을 동시에 형성하는 단계; 상기 제2산화 저지층 패턴을 제거하는 단계; 상기 우물 산화층을 이온주입 마스크로 하여 제2도전형의 불순물 이온을 상기 하부 단결정 실리콘층에 주입한 후 열공정을 실시함으로써, 제2도전형 우물과 재확산된 제1도전형 우물을 동시에 형성하는 단계; 및 상기 재확산된 제1도전형 우물이 형성된 기판 전면에 남아있는 우물 산화층, 제2절연층, 및 제1산화 저지층 패턴을 제거함으로써 변형된 스페이서를 형성하는 단계를 구비하여, 상기 상부 단결정 실리콘층 패턴 및 상기 재확산된 제1도전형 우물과 상기 제2 전형 우물에 각각 SOI 트랜지스터 및 벌크 트랜지스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 SOI 기판은 SIMOX 또는 wafer bonding 공정으로 형성된 반도체기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 제1산화 저지층 및 제2산화 저지층은 질화실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 제1절연층 및 제2절연층은 열산화 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 우물 산화층은 열산화 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 CVD 산화층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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