KR970052453A - 반도체 장치의 콘택 형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 콘택 형성방법 Download PDF

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KR970052453A
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KR
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forming
conductive layer
insulating layer
photoresist pattern
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KR1019950065964A
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김민정
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

상부 도전층과 하부 도전층을 전기적으로 접속시키는 콘택 형성방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 반도체기판 상에, 하부 도전층, 제1층간절연층 및 상부 도전층을 각각 형성하는 단계, 콘택홀이 형성될 영역의 상부 도전층을 식각하여 제1콘택홀을 형성하는 단계, 제1콘택홀이 형성된 결과물 상에 제2층간절연층을 형성하는 단계, 제2절연층 상에, 제1콘택홀의 일부를 포함하는 영역에 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 제1 및 제2절연층을 이방성식각하여 콘택홀을 형성하는 단계, 결과물 전면에 도전물질을 증착한 후 에치백하여 하부 도전층 및 상부 도전층을 접속시키는 플럭을 형성하는 단계를 포함한다.
따라서, 공정을 단순화할 수 있고, 제조원가를 절감할 수 있으며, 단차를 줄일 수 있다.

Description

반도체 장치의 콘택 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의해 반도체 장치의 콘택 형성 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시된 단면도들이다.

Claims (4)

  1. 반도체기판 상에, 하부 도전층, 제1층간절연층 및 상부 도전층을 각각 형성하는 단계; 콘택홀이 형성될 영역의 상기 상부 도전층을 식각하여 제1콘택홀을 형성하는 단계; 제1콘택홀이 형성된 결과물 상에 제2층간절연층을 형성하는 단계; 상기 제2절연층 상에, 상기 제1콘택홀의 일부를 포함하는 영역에 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제1 및 제2절연층을 이방성식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 결과물 전면에 도전물질을 증착한 후 에치백하여 상기 하부 도전층 및 상부 도전층을 접속시키는 플럭을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 제1콘택홀보다 큰 사이즈의 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
  3. 소오스/드레인 영역을 구비하는 반도체기판 상에 제1절연층을 형성하는 단계; 상기 제1절연층 상에 비트라인을 형성하는 단계; 상기 드레인영역 상의 상기 비트라인을 식각하여 제1콘택홀을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 제2절연층을 형성하는 단계; 상기 제2절연층 상에, 상기 제1콘택홀의 일부를 포함하는 영역에 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 결과물에 대해 이방성 식각을 실시함으로써, 상기 제1콘택홀과 연결되는 제2콘택홀을 형성하는 단계; 및 결과물 전면에 도전물질을 증착한 후 에치백하여 상기 드레인 및 비트라인을 접속시키는 플럭을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 제1콘택홀보다 큰 사이즈의 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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