KR970052453A - 반도체 장치의 콘택 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 콘택 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970052453A KR970052453A KR1019950065964A KR19950065964A KR970052453A KR 970052453 A KR970052453 A KR 970052453A KR 1019950065964 A KR1019950065964 A KR 1019950065964A KR 19950065964 A KR19950065964 A KR 19950065964A KR 970052453 A KR970052453 A KR 970052453A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contact hole
- forming
- conductive layer
- insulating layer
- photoresist pattern
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
상부 도전층과 하부 도전층을 전기적으로 접속시키는 콘택 형성방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 반도체기판 상에, 하부 도전층, 제1층간절연층 및 상부 도전층을 각각 형성하는 단계, 콘택홀이 형성될 영역의 상부 도전층을 식각하여 제1콘택홀을 형성하는 단계, 제1콘택홀이 형성된 결과물 상에 제2층간절연층을 형성하는 단계, 제2절연층 상에, 제1콘택홀의 일부를 포함하는 영역에 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 제1 및 제2절연층을 이방성식각하여 콘택홀을 형성하는 단계, 결과물 전면에 도전물질을 증착한 후 에치백하여 하부 도전층 및 상부 도전층을 접속시키는 플럭을 형성하는 단계를 포함한다.
따라서, 공정을 단순화할 수 있고, 제조원가를 절감할 수 있으며, 단차를 줄일 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의해 반도체 장치의 콘택 형성 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시된 단면도들이다.
Claims (4)
- 반도체기판 상에, 하부 도전층, 제1층간절연층 및 상부 도전층을 각각 형성하는 단계; 콘택홀이 형성될 영역의 상기 상부 도전층을 식각하여 제1콘택홀을 형성하는 단계; 제1콘택홀이 형성된 결과물 상에 제2층간절연층을 형성하는 단계; 상기 제2절연층 상에, 상기 제1콘택홀의 일부를 포함하는 영역에 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제1 및 제2절연층을 이방성식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 결과물 전면에 도전물질을 증착한 후 에치백하여 상기 하부 도전층 및 상부 도전층을 접속시키는 플럭을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 제1콘택홀보다 큰 사이즈의 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
- 소오스/드레인 영역을 구비하는 반도체기판 상에 제1절연층을 형성하는 단계; 상기 제1절연층 상에 비트라인을 형성하는 단계; 상기 드레인영역 상의 상기 비트라인을 식각하여 제1콘택홀을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 제2절연층을 형성하는 단계; 상기 제2절연층 상에, 상기 제1콘택홀의 일부를 포함하는 영역에 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 결과물에 대해 이방성 식각을 실시함으로써, 상기 제1콘택홀과 연결되는 제2콘택홀을 형성하는 단계; 및 결과물 전면에 도전물질을 증착한 후 에치백하여 상기 드레인 및 비트라인을 접속시키는 플럭을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 제1콘택홀보다 큰 사이즈의 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950065964A KR970052453A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950065964A KR970052453A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 콘택 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970052453A true KR970052453A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66624282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950065964A KR970052453A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 콘택 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970052453A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065964A patent/KR970052453A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR890003038A (ko) | 페데스탈 구조를 가지는 반도체 제조 공정 | |
KR970052453A (ko) | 반도체 장치의 콘택 형성방법 | |
KR970051844A (ko) | 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
KR970052336A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR980005592A (ko) | 자기 정렬 콘택 홀 형성 방법 | |
KR970072295A (ko) | 반도체 소자의 격리막 형성방법 | |
KR980005436A (ko) | 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조 및 그 제조방법 | |
KR970053470A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
KR970054004A (ko) | 반도체장치의 비트라인 형성방법 | |
KR960039285A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
KR970052391A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 | |
KR970003520A (ko) | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR980005474A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
KR19980056112A (ko) | 반도체 장치의 금속콘택 형성방법 | |
KR970052322A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
KR970030639A (ko) | 평탄화된 필드절연막을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR970052364A (ko) | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 | |
KR19980082864A (ko) | 반도체 장치의 금속배선층 형성방법 | |
KR960043103A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
KR960005957A (ko) | 다층배선 형성방법 | |
KR960019533A (ko) | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 | |
KR970023630A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
TW430924B (en) | Method for forming contact hole in semiconductor device | |
KR970023716A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR960035809A (ko) | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |