KR970023630A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents

반도체 소자 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970023630A
KR970023630A KR1019950035467A KR19950035467A KR970023630A KR 970023630 A KR970023630 A KR 970023630A KR 1019950035467 A KR1019950035467 A KR 1019950035467A KR 19950035467 A KR19950035467 A KR 19950035467A KR 970023630 A KR970023630 A KR 970023630A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
interlayer insulating
insulating film
mask pattern
pattern
covering
Prior art date
Application number
KR1019950035467A
Other languages
English (en)
Inventor
정광국
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950035467A priority Critical patent/KR970023630A/ko
Publication of KR970023630A publication Critical patent/KR970023630A/ko

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 층간절연막 평탄화방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 형성된 하부 도전층 패턴을 제1층간절연막으로 덮는 단계와; 상기 층간절연막 상에 상기 하부 도전층 패턴과 위상이 반전된 형태의 마스크 패턴을 형성하는 단계와; 상기 마스크 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제1층간절연막을 습식식각하는 단계와; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계 및; 상기 제1층간절연막 상에 소정 두께의 제2층간절연막을 덮는 단계를 구비하여 소자 제조를 완료하므로써, 복잡한 공정없이도 수월하게 소자의 평탄화를 실현할 수 있게 되어 다층 배선 공정을 용이하게 수행할 수 있을 뿐 아니라 공정단순화를 통해 제조원가를 절감할 수 있는 고신뢰성의 반도체 소자를 구현할 수 있게 된다.

Description

반도체 소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(가)도 내지 제1(라)도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법을 도시한 공정수순도.

Claims (1)

  1. 반도체 기판상에 형성된 하부 도전층 패턴을 제1층간절연막으로 덮는 단계와; 상기 층간절연막 상에 상기 하부 도전층 패턴과 위상이 반전된 형태의 마스크 패턴을 형성하는 단계와; 상기 마스크 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제1층간절연막을 습식식각하는 단계와; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계 및; 상기 제1층간절연막 상에 소정 두께의 제2층간절연막을 덮는 단계를 구비하여 형성되는 것을 특징으로하는 층간절연막 평탄화방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950035467A 1995-10-14 1995-10-14 반도체 소자 제조방법 KR970023630A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950035467A KR970023630A (ko) 1995-10-14 1995-10-14 반도체 소자 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950035467A KR970023630A (ko) 1995-10-14 1995-10-14 반도체 소자 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970023630A true KR970023630A (ko) 1997-05-30

Family

ID=66583798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950035467A KR970023630A (ko) 1995-10-14 1995-10-14 반도체 소자 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970023630A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100311495B1 (ko) * 1999-07-05 2001-10-18 김영환 반도체소자의 절연막 평탄화방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100311495B1 (ko) * 1999-07-05 2001-10-18 김영환 반도체소자의 절연막 평탄화방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970072325A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR940022801A (ko) 반도체소자의 콘택 형성방법
KR970023630A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR980005436A (ko) 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조 및 그 제조방법
KR970052386A (ko) 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법
KR970052864A (ko) 반도체소자의 층간절연막 형성방법
KR970052385A (ko) 반도체장치의 콘택홀 형성방법
KR970030639A (ko) 평탄화된 필드절연막을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법
KR970052391A (ko) 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법
KR960039288A (ko) 반도체장치 제조방법
KR960005957A (ko) 다층배선 형성방법
KR970003854A (ko) 다층 금속배선 형성방법
KR970030661A (ko) 반도체 소자의 다층 금속 배선 방법
KR980005474A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR970018177A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970052356A (ko) 반도체 장치의 콘택 형성 방법
KR960026632A (ko) 반도체 소자의 다층금속배선 형성방법
KR980005849A (ko) 포토레지스트를 이용한 반도체장치의 평탄화방법
KR940027071A (ko) 시각베리어층을 이용한 텅스텐 배선 형성방법
KR970053519A (ko) 다층 금속 배선 형성방법
KR940004745A (ko) 층간절연층의 평탄화법
KR970053587A (ko) 다층의 금속층을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
KR970052369A (ko) 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
KR970018048A (ko) 반도체 장치의 비아 콘택(via contact) 형성방법
KR970052841A (ko) 반도체장치 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination