KR980005849A - 포토레지스트를 이용한 반도체장치의 평탄화방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토레지스트를 이용한 반도체장치의 평탄화방법에 관한 것이다. 본 발명의 평탄화방법은 패턴이 없는 넓은 부분과 좁은 패턴과 넓은 패턴으로 이루어진 반도체기판 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 층간 절연막 전면의 패턴이 없는 넓은 부분과 상기 좁은 패턴사이를 한전하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 리플로우 하여 상기 패턴이 넓은 부분에 형성된 상기 층간절연막과 같은 높이로 평탄화하는 단계 및 상기 좁은 패턴이 형성된 영역과 패턴이 없는 영역의 리플로우된 포토레지스트 패턴 및 패턴이 넓은 영역의 전면에 형성된 층간절연막과 전면을 1:1 식각비를 갖는 조건으로 에치백하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 포토레지스트 패턴의 리플로우와 이어서 CMP를 이용함으로써, 전체적으로 균일한 평탄화를 이룰 수 있고, 따라서 후속공정으로 콘택이나 사진식각공정등을 큰 편차없이 수행할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 본 발명에 의한 포토레지스트를 이용한 반도체장치의 평탄화 방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
Claims (1)
- 패턴이 없는 넓은 부분과 좁은 패턴과 넓은 패턴으로 이루어진 반도체기판 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 전면의 패턴이 없는 넓은 부분과 상기 좁은 패턴사이를 한정하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 리플로우 하여 상기 패턴이 넓은 부분에 형성된 상기 층간절연막과 같은 높이로 평탄화하는 단계; 및 상기 좁은 패턴이 형성된 영역과 패턴이 없는 영역의 리플로우된 포토레지스트 패턴 및 패턴이 넓은 영역의 전면에 형성된 층간절연막 전면을 1:1 식각비를 갖는 조건으로 에치백하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트를 이용하는 반도체장치의 평탄화방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023990A KR980005849A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 포토레지스트를 이용한 반도체장치의 평탄화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023990A KR980005849A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 포토레지스트를 이용한 반도체장치의 평탄화방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005849A true KR980005849A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023990A KR980005849A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 포토레지스트를 이용한 반도체장치의 평탄화방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005849A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053435A (ko) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 한신혁 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
-
1996
- 1996-06-26 KR KR1019960023990A patent/KR980005849A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053435A (ko) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 한신혁 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
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