KR970072086A - 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970072086A KR970072086A KR1019960011726A KR19960011726A KR970072086A KR 970072086 A KR970072086 A KR 970072086A KR 1019960011726 A KR1019960011726 A KR 1019960011726A KR 19960011726 A KR19960011726 A KR 19960011726A KR 970072086 A KR970072086 A KR 970072086A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- entire structure
- metal wiring
- metal layer
- film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선의 접촉 저항을 감소시키고, 다층 배선 구조의 표면 평탄화를 쉽게 이룰 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법이 개시된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 따른 반도체소자의 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 층간 절연막 및 제1금속층을 형성하는 단계와, 상기 제1금속층을 패터링한 후, 전체 구조 상부에 제1산화막을 형성하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 감광막을 도포한 후, 상기 감광막을 포토 리소그라피 공정에 의해 패터닝하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 SOG막을 도포한 후, 상기 SOG막에 패터닝된 감광막이 노출되도록 에치 백을 실시하는 단계와, 상기 패턴화된 감광막을 플라즈마 식각 공정으로 제거하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 제2산화막을 증착한 후, 제1금속층 상부 및 층간 절연막에 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀의 내부에 텅스텐 금속을 증착하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 제2금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960011726A KR970072086A (ko) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960011726A KR970072086A (ko) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072086A true KR970072086A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66223019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960011726A KR970072086A (ko) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072086A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063022A (ko) * | 1999-12-21 | 2001-07-09 | 윤종용 | 저유전율막을 절연막으로 사용한 반도체 소자의 컨택 홀형성 방법 |
| KR100621764B1 (ko) * | 2000-07-05 | 2006-09-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자의 부하저항 형성방법 |
| US7262128B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-08-28 | Seiko Epson Corporation | Method of forming multilayer interconnection structure, and manufacturing method for multilayer wiring boards |
-
1996
- 1996-04-18 KR KR1019960011726A patent/KR970072086A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063022A (ko) * | 1999-12-21 | 2001-07-09 | 윤종용 | 저유전율막을 절연막으로 사용한 반도체 소자의 컨택 홀형성 방법 |
| KR100621764B1 (ko) * | 2000-07-05 | 2006-09-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자의 부하저항 형성방법 |
| US7262128B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-08-28 | Seiko Epson Corporation | Method of forming multilayer interconnection structure, and manufacturing method for multilayer wiring boards |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940016513A (ko) | 반도체소자의 저저항 접촉형성방법 | |
| KR970072086A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR970053517A (ko) | 반도체장치의 다층배선구조 형성방법 | |
| KR970052386A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR970067929A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR970077515A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR980005596A (ko) | 반도체 장치의 금속콘택 형성방법 | |
| KR980005436A (ko) | 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조 및 그 제조방법 | |
| KR980005543A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR960005957A (ko) | 다층배선 형성방법 | |
| KR950021118A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960015734A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR970077525A (ko) | 다층 배선층 형성방법 | |
| KR970023630A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR950025869A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
| KR970003522A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR970008404A (ko) | 반도체 소자의 금속층간절연막 형성방법 | |
| KR950021354A (ko) | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 | |
| KR970053575A (ko) | 반도체 소자의 다층금속배선 형성방법 | |
| KR970018177A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR950030311A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR980005639A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR930001379A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 연결방법 | |
| KR970077186A (ko) | 반도체 소자의 다층 금속배선 구조 및 그 제조방법 | |
| KR940016629A (ko) | 삼층감광막 패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |