KR970077525A - 다층 배선층 형성방법 - Google Patents
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Abstract
콘택부위의 절연막의 두께를 감소시킬 수 있는 다층 배선층의 형성방법에 관한 것으로, 배선층 형성방법은, 반도체 기판을 활성영역과 비활성영역으로 구분하는 소자 분리 산화막을형성하는 단계, 상기 기판 상에 제1배선층을 형성하는 단계, 상기 결과물 전면에 순차적으로 제1절연층 및 제2배선층을 형성하는 단계, 상기 제2배선층 상에 결과물을 평탄화시킬 정도로 두꺼운 제2절연막을 형성하는 단계, 상기 결과물 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 이용하여 상기 제2절연층을 패터닝하는 단계,상기 패터닝된 제2절연층을 마스크로 이용하여 상기 제2배선층을 패터닝하는 단계, 결과물 전면에 제3절연층을 형성하여 결과물을 평탄화 시키는 단계을 구비한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2E도 내지 제2F도는 본 발명에 따른 다층 배선층의 형성 방법을 나타내는 단면도들이다.
Claims (3)
- 반도체 기판을 활성영역과 비활성영역으로 구분하는 소자 분리 산화막을 형성하는 단계, 상기 기판상에 제1배선층을 형성하는 단계, 상기 결과물 전면에 순차적으로 제1절연층 및 제2배선층을 형성하는 단계, 상기 제2배선층 상에 결과물을 평탄화시킬 정도로 두꺼운 제2절연막을 형성하는 단계, 상기 결과물 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 이용하여 상기 제2절연층을 패터닝하는 단계, 결과물 전면에 제3절연층을 형성하여 결과물을 평탄화시키는 단계를 구비함을 특징으로 하는 다층 배선층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연층 및 제3절연층은 동일한 유동성을 가지는 산화막임을 특징으로 하는 다층 배선층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연층은 HTO로 500-2000A임을 특징으로 하는 다층 배선층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018219A KR970077525A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 다층 배선층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018219A KR970077525A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 다층 배선층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077525A true KR970077525A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66284457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018219A KR970077525A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 다층 배선층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077525A (ko) |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018219A patent/KR970077525A/ko not_active Application Discontinuation
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