KR970052660A - 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 - Google Patents
반도체 소자의 아이솔레이션 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 아이솔레이션 방법, 특히, 로코스 아이솔레이션 방법을 개시한다. 개시된 발명은 반도체 기판(11)상에 패드 산화막(12), 제1질화막(16)을 순차적으로 형성하는 단계; 제1질화막(16)상부중 활성영역이 될 부분에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 감광막 패턴에 의하여 제1질화막(16)과 패드 산화막(12)을 식각하는 단계; 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 구조물 상부에 제2질화막(17)을 형성하는 단계; 제2질화막(17)이 패드 산화막(12)과 제1질화막(16)의 측부에만 존재하도록 제2질화막(17)을 식각하는 단계; 제1질화막(16)과 제2질화막(17)이 형성되지 않은 반도체 기판부분만을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (가)및 (나)는 종래의 반도체소자의 아이솔레이션 형성시 버즈빅 현상을 설명하기 위한 도면.
Claims (1)
- 반도체 기판상에 패드 산화막, 제1질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 질화막상부중에 활성영역이 될 부분에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴에 의하여 상기 제1질화막과 패드 산화막을 식각하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 구조물 상부에 제2질화막을 형성하는 단계; 성가 제2질화막이 패드 산화막과 제1질화막의 측부에만 존재하도록 제2질화막을 식각하는 단계; 상기 제1질화막과 제2질화막이 형성되지 않은 반도체 기판부분만을 선택산화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 아이솔레이션 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054630A KR970052660A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054630A KR970052660A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052660A true KR970052660A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66617393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950054630A KR970052660A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052660A (ko) |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054630A patent/KR970052660A/ko not_active Application Discontinuation
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