KR970053419A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
질화막을 사용하지 않고 소자분리를 할 수 있는 반도체장치의 제조방법이 개시되어 있다.
본 발명의 반도체장치 제조방법은, 패드산화막이 표면에 형성된 반도체기판상에 소자 활성영역을 한정해주는 소자 분리영역의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 상기 패드산화막과 반도체기판의 일부를 식각하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후 기판 전면에 필드산화막을 형성하는 단계 및 상기 필드산화막상에 포토레지스트층을 도포한 후 기판 전면에 대하여 상기 반도체기판의 소자 활성영역이 노출될 때까지 에치백하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 공정이 단순화되며, 소자 활성영역을 안정되게 형성할 수 있고, 후속 공정시 표면의 프로파일이 개선되는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) 내지 (라)는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치의 제조과정을 나타내는 단면도들이다.
Claims (2)
- 패드산화막이 표면에 형성된 반도체기판상에 소자 활성영역을 한정해주는 소자 분리영역의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 상기 패드산화막과 반도체기판의 일부를 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후 기판 전면에 필드산화막을 형성하는 단계 및 상기 필드산화막상에 포토레지스트층을 도포한 후 기판 전면에 대하여 상기 반도체기판의 소자 활성영역이 노출될 때까지 에치백하는 단계;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체기판의 일부를 식각하는 단계 후에 상기 식각부분 하부의 반도체기판내에 불순물영역을 형성하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950055716A KR970053419A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950055716A KR970053419A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053419A true KR970053419A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66617871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950055716A KR970053419A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053419A (ko) |
-
1995
- 1995-12-23 KR KR1019950055716A patent/KR970053419A/ko not_active Application Discontinuation
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