KR980005760A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야:

본 발명은 반도체 장치에 관한 것이다.

2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제:

본 발명은 액티브 영역간의 분리를 위하 ㄴ필드산화막을 형성한 수 마스크 역할을 하는 막질(질화막)을 제거함에 있어, 팔드산화막의 상부도 함께 에칭햐여 평탄도를 높일수 있는 반도체장치의 제조방법을 제공한다.

3. 발명의 해결방법의요지.

본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판상에 제1절연막을 형성하는 과정과, 상기 제1절연막 상부에 제2절연막을 형성하는 과정과, 상기 제2절연막중 일부표면에 개구부를 형성하기 위한 사진 식각하는 고정과, 상기 개구부에 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막을 제거함과 동시에 상기 필드산화막의 일부를 식각하는 과정를 포함한다.

4. 발명의 중요한 용도:

본발명은 반도체장치에 적합하게 사용된다.

Description

반도체 장치의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 필드산화막을 보여주는 공정단면도.

Claims (6)

1. 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판상에 제1절연막을 형성하는 과정과, 상기 제1절연막 상부에 제2절연막을 형성하는 과정과, 상기 제2절연막중 일부표면에 개구부를 형성하기 위한 사진 식각하는 고정과, 상기 개구부에 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막을 제거함과 동시에 상기 필드산화막의 일부를 식각하는 과정를 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막이 두 개이상의 층으로 이루어짐을 특징으로 한 반도체 장치의 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막이 질화막임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막과 사기 필드산화막의 에치 비율을 조절하여 동시에 식각함으로써 상기 제2절연막의 제거의상기 필드산화막의 편탄화를 동시에 진행함을 특지징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막의 상기 식각공정전의 펄드산화막의 두께가 상기 제2절연막 식각공정후의 상기 필드 산화막의 두께보다 더 직아짐을 특징으로하는 반도체 장치의 제조방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 상기 필드산화막이 평탄화시 단차가 작아짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.