KR980006068A - 반도체 장치의 아이솔레이션 방법 - Google Patents
반도체 장치의 아이솔레이션 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 기판 상에 산화방지막을 형성하는 단계; 아이솔레이션 지역의 상기 반도체 기판을 노출시키기 위한 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 식각장벽으로 노출된 상기 산화방지막의 소정두께를 수직하게 식각하는 단계; 상기 마스크 패턴을 식각장벽으로 잔류하는 상기 산화방지막 및 상기 반도체기판의 소정 두께를 구배지게 식각하는 단계; 및 산화공정에 의해 노출된 상기 반도체 기판에 소자 분리산화막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 아이솔레이션 방법에 관한 것으로, 활성지역과 필드지역간의 급격히 경사진 부위를 단차없이 부드럽게 연결시켜 주므로써 소자 특성을 향상시켜 소자의 수율 향상은 물론, 기존 공정을 대폭 단순화함으로써 소자를 제작하는데 소모되는 시간과 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4a도 내지 제4d도는 본 발명의 일실시예에 따른 아이솔레이션 공정도.
Claims (7)
- 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 산화방지막을 형성하는 단계; 아이솔레이션 지역의 상기 반도체 기판을 노출시키기 위한 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 식각장벽으로 노출된 상기 산화방지막의 소정두께를 수직하게 식각하는 단계; 상기 마스크 패턴을 식각장벽으로 잔류하는 상기 산화방지막 및 상기 반도체 기판의 소정두께를 구배지게 식각하는 단계; 및 산화공정에 의해 노출된 상기 반도체 기판에 소자분리산화막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화방지막은 패드 산화막과 질화막이 적층된 막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화방지막은 패드 산화막과 폴리실리콘막 및 질화막이 적층된 막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화방지막의 소정두께를 수직하게 식각하는 단계는 CF4와 CHF3의 혼합가스를 사용한 건식식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 잔류하는 산화방지막 및 상기 반도체 기판의 소정두께를 구배지게 식각하는 단계는 적어도 프레온 계열 가스를 사용한 건식식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 아이솔레이션 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 프레온 가스에 CF4와 CHF3혼합가스 및 구배각도를 조절하기 위한 CO계열 가스를 더 첨가한 혼합가스에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 아이솔레이션 방법.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 프레온 가스는 C2F5, C3F8, C4F8중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 아이솔레이션 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024686A KR980006068A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 장치의 아이솔레이션 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024686A KR980006068A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 장치의 아이솔레이션 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006068A true KR980006068A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024686A KR980006068A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 장치의 아이솔레이션 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006068A (ko) |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024686A patent/KR980006068A/ko not_active Application Discontinuation
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