KR970003520A - 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970003520A KR970003520A KR1019950019094A KR19950019094A KR970003520A KR 970003520 A KR970003520 A KR 970003520A KR 1019950019094 A KR1019950019094 A KR 1019950019094A KR 19950019094 A KR19950019094 A KR 19950019094A KR 970003520 A KR970003520 A KR 970003520A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- contact hole
- source
- drain
- insulating spacer
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 미세 콘택홀 형성시 소자분리막의 식각으로 인한 반도체기판의 노출을 방지하기 위한 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판에 소자분리막, 게이트, 소스/드레인 및 상기 게이트 측벽에 제1절연스페이서 형성 후 상기 소스/드레인 영역에 콘택홀을 형성하는 방법에 있어서, 상기 제1절연스페이서 측벽에 이후 형성될 층간절연막과의 식각선택비가 높은 제2절연스페이서를 형성하는 제1단계; 및 상기 제1단계 후 전체 상부에 상기 층간절연막을 형성하고, 콘택홀 형성을 위한 식각공정을 통해 상기 층간절연막을 식각하여 상기 소스/드레인이 노출되도록 하는 제2단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 일 실시예에 따른 콘택홀 형성과정을 나타내는 도면.
Claims (3)
- 반도체 기판에 소자분리막, 게이트, 소스/드레인 및 상기 게이트 측벽에 제1절연스페이서 형성 후 상기 소스/드레인 영역에 콘택홀을 형성하는 방법에 있어서, 상기 제1절연스페이서 측벽에 이후 형성될 층간절연막과의 식각선택비가 높은 제2절연스페이서를 형성하는 제1단계; 및 상기 제1단계 후 전체 상부에 상기 층간절연막을 형성하고, 콘택홀 형성을 위한 식각공정을 통해 상기 층간절연막을 식각하여 상기 소스/드레인이 노출되도록 하는 제2단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연스페이서는 상기 소스/드레인 형성 후 전체 상부에 질화산화막을 증착한 다음 비등방성 식각함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2단계 후 상기 콘택홀 측벽에 제3절연스페이서를 형성하는 제3단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019094A KR970003520A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019094A KR970003520A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003520A true KR970003520A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019094A KR970003520A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003520A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990025132A (ko) * | 1997-09-10 | 1999-04-06 | 윤종용 | 반도체장치의 콘택 형성방법 |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019094A patent/KR970003520A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990025132A (ko) * | 1997-09-10 | 1999-04-06 | 윤종용 | 반도체장치의 콘택 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970004045A (ko) | 소이(soi) 구조의 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970003520A (ko) | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR980006032A (ko) | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 | |
| KR960026585A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 | |
| KR970054438A (ko) | 경사진 게이트 산화막을 갖는 전력용 모스 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR960030327A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR940008072A (ko) | 반도체 소자의 고축적 용량을 갖는 캐패시터 제조 방법 | |
| KR920010752A (ko) | 반도체 소자의 격리막 형성방법 | |
| KR940022854A (ko) | 반도체장치의 접촉창 형성방법 | |
| KR950021090A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970052228A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 제조방법 | |
| KR960026174A (ko) | 반도체 메모리장치의 매몰접촉창 형성방법 | |
| KR980005619A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026221A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970052317A (ko) | 반도체 장치의 미세 접촉창 형성 방법 | |
| KR920008923A (ko) | 반도체 집적회로의 소자격리영역 형성방법 | |
| KR970003855A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR970003839A (ko) | 반도체장치의 다층 배선구조 및 그 형성방법 | |
| KR970052785A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR950021396A (ko) | 필드산화막 제조방법 | |
| KR960026165A (ko) | 반도체 소자 콘택홀 형성방법 | |
| KR960002563A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970018374A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리방법 | |
| KR970024210A (ko) | 반도체 소자의 디램 제조방법 | |
| KR950021096A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |