KR970052228A - 반도체소자의 콘택홀 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 콘택홀 제조방법 Download PDF

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KR970052228A
KR970052228A KR1019950050434A KR19950050434A KR970052228A KR 970052228 A KR970052228 A KR 970052228A KR 1019950050434 A KR1019950050434 A KR 1019950050434A KR 19950050434 A KR19950050434 A KR 19950050434A KR 970052228 A KR970052228 A KR 970052228A
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KR
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forming
contact hole
gate electrode
nitride film
film
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KR1019950050434A
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Inventor
황성민
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 콘택홀 제조방법에 관한 것으로서, 질화막을 콘택홀 식각시의 식각 장벽층으로 사용하는 자기정렬 콘택에서 게이트전극과 중첩되어 있는 마스크 절연막 패턴의 측벽에 산화막 또는 질화막 스페이서를 형성하고, 후속 공정을 진행하여 콘택홀을 형성하였으므로, 콘택홀 식각 공정이 간단하고, 게이트에 의한 단차가 감소되어 후속공정시의 공정여유도가 증가되며, 콘택홀 부분에 노출되는 질화막간의 간격이 넓어져 식각 공정이 용이해져 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체소자의 콘택홀 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 콘택홀 제조 공정도.

Claims (3)

  1. 반도체기판 상에 게이트 산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트산화막 상에 게이트전극 및 상기 게이트전극과 중첩되어 있는 마스크 산화막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 양측의 반도체기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극과 마스크 산화막 패턴의 측벽에 산화막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 식각장벽층인 장벽 질화막을 형성하는 공정과, 상기 장벽 질화막상에 평탄화막을 형성하는 공정과, 상기 평탄화막에서 콘택홀로 예정되어 있는 부분을 상기 장벽 질화막에 대하여 식각선택비를 갖는 식각 조건으로 제거하여 장벽 질화막을 노출시키는 공정과, 상기 노출되어 있는 장벽 질화막을 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 콘택홀 제조방법.
  2. 반도체기판 상에 게이트 산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트산화막 상에 게이트전극 및 상기 게이트 전극과 중첩되어 있는 마스크산화막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 양측의 반도체기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극과 마스크 산화막 패턴의 측벽에 질화막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 질화막을 형성하는 공정과, 상기 질화막상에 평탄화막을 형성하는 공정과, 상기 평탄화막에서 콘택홀로 예정되어 있는 부분을 질화막에 대하여 식각 선택비를 갖는 식각 조건으로 제거하여 질화막을 노출시키는 공정과, 상기 노출되어 있는 질화막을 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 콘택홀 제조방법.
  3. 반도체기판 상에 게이트 산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트산화막 상에 게이트전극 및 상기 게이트전극과 중첩되어 있는 마스크 질화막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 양측의 반도체기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극과 마스크 질화막 패턴의 측벽에 질화막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 질화막을 형성하는 공정과, 상기 질화막상에 평탄화막을 형성하는 공정과, 상기 평탄화막에서 콘택홀로 예정되어 있는 부분을 질화막에 대하여 식각 선택비를 갖는 식각 조건으로 제거하여 질화막을 노출시키는 공정과, 상기 노출되어 있는 질화막을 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 콘택홀 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050434A 1995-12-15 1995-12-15 반도체소자의 콘택홀 제조방법 KR970052228A (ko)

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