KR950007167A - 메스패트(mesfet) 제조방법 - Google Patents
메스패트(mesfet) 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 메스패트(MESFET) 제조방법에 관한 것으로, 화합물 반도체를 이용하여 소자의 특성을 개선하기 위해 종래의 기술에서 오믹콘택을 위한 고농도의 오믹콘택층을 게이트전극 양측에 형성시키는 것과는 달리 게이트전극 양측에 고농도의 활상층을 유기화학 기상층착법으로 형성하여 전하가 이동하는 경로의 실제길이를 줄임으로써 낮은 전압에서 소자가 구동되도록 하였고, 또한 종래 기술에서 채널형성을 위한 채널층 식각시 식각깊이 조정상의 문제점을, 채널층을 형성시킬때 형성되는 물질의 높이를 조정하는 해결함으로써 공정상의 장점을 갖는 메스패트(MESFET)제조방법을 제시하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 메스패트(MESFET)구조 단면도.
제3도 (A)-(D)는 본 발명의 메스패트(MESFET)제조공정 단면도.
Claims (2)
- 기판(1)상에 버퍼층(2), 활성층(3)을 차례로 형성하는 제1공정, 상기 활성층(3)상의 선택영역에 일정폭을 갖는 게이트전극(4)을 형성하는 제2공정, 전표면상에 절연막을 증착한후, 에치-백하여 게이트전극(4)측면에 측벽 절연막(5)을 형성하는 제3공정, 상기 게이트전극(4)과 측벽절연막(5)을 마스크로하여 노출된 활성층(3)과 버퍼층(3)일부를 식각하여 활성층패턴(3a)과 버퍼층패턴(2a)을 형성하는 제4공정, 상기 노출된 버퍼층패턴(2a)상과 활성층패턴(3a)측면에 고농도활성층(6)을 형성하는 제5공정, 상기 측벽절연막(5)을 제거한후, 고농도활성층(6)상에 일정폭을 갖는 소오스/드레인전극(7,8)을 형성함하는 제5공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 메스패트(MESFET)제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제5공정의 고농도활성층(6)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법으로 형성함을 특징으로 하는 메스패트(MESFET)제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930015502A KR950007167A (ko) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 메스패트(mesfet) 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930015502A KR950007167A (ko) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 메스패트(mesfet) 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950007167A true KR950007167A (ko) | 1995-03-21 |
Family
ID=66817593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930015502A KR950007167A (ko) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 메스패트(mesfet) 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950007167A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633473B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Overcurrent control circuit of power semiconductor device |
-
1993
- 1993-08-10 KR KR1019930015502A patent/KR950007167A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633473B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Overcurrent control circuit of power semiconductor device |
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