KR940020515A - 메스펫 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 메스펫 제조방법에 관한 것으로, 표면에 수평으로 흐르는 전류를 수직방향으로 흐르게 하여 기판에 흐르는 전류를 차단한 메스펫의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 기판상에 고농도의 오믹 접촉층(9)을 형성하고 제1활성층(10)을 형성하는 제1공정, 소자격리를 위한 메사구조로 식각하고 전극용 금속을 증착하여 상기 제1활성층(10)상에 일정간격을 갖는 게이트 전극(11)을 형성하는 제2공정, 유전체(12)를 증착하고 상기 게이트 전극(11)사이의 유전체(12)만을 식각한후 식각된 상기 게이트(11)사이에 제2활성층(13)과 캡층(14)을 형성하는 제3공정, 소오스 영역과 드레인 영역의 유전체(12)를 제거한 후 감광막(15)을 증착하고 드레인 영역과 소오스 영역의 감광막(15)을 제거하는 제4공정 금속을 증착하여 드레인 전극(16)과 소오스 드레인 전극(17)을 형성한후 상기 감광막(15)을 제거하는 제5공정으로 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

메스펫 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 메스펫 제조공정을 나타내는 단면도.

Claims (4)

1. 기판상에 고농도의 오믹 접촉층(9)을 형성하고 제1활성층(10)을 형성하는 제1공정, 소자격리를 위한 메사구조로 식각하고 전극용 금속을 증착하여 상기 제1활성층(10)상에 일정간격을 갖는 게이트 전극(11)을 형성하는 제2공정, 유전체(12)를 증착하고 상기 게이트 전극(11)사이의 유전체(12)만을 식각한후 식각된 상기 게이트(11)사이에 제2활성층(13)과 캡층(14)을 형성하는 제3공정, 소오스 영역과 드레인 영역의 유전체(12)를 제거한 후 감광막(15)을 증착하고 드레인 영역과 소오스 영역의 감광막(15)을 제거하는 제4공정, 금속을 증착하여 드레인 전극(16)과 소오스 전극(17)을 형성한후 상기 감광막(15)을 제거하는 제5공정으로 이루어짐을 특징으로 하는메스펫 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제3공정의 제2활성층(13)을 선택적 에피택시얼 방법으로 형성함을 특징으로 하는 메스펫 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제3공정의 캡층(4)은 이온주입법에 의해 형성함을 특징으로 하는 메스펫 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제5공정의 감광막(15)은 리프트 오프법으로 제거함을 특징으로 하는 메스펫 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.