KR970054522A - 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 도핑된 비정질 실리콘막을 형성할 때, 비정질 실리콘막을 형성하고, 에피 스토퍼 절연막을 마스크로 하여 이온 샤우어법으로 도핑하므로써 공정을 단순화하는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이다. 또한, 채널부에 광유도 전류(phoro induce current)의 워닝이 되는 비정질 실리콘막이 에치 스토퍼 절연막 및 소스-드레인 전극 외부로 노출되지 않아 광 조사에 의한 오프 전류 증가를 방지하는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 박막 트랜지스터의 구조를 도시한 단면도이다.
Claims (7)
- 게이트 전극이 형성되어 있는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 게이트 전극의 상측부에는 도핑되지 않고, 그 외의 부분은 제1도전형으로 도핑되어 있으며, 상기 절연막 위에 형성되어 있는 비정질 실리콘막, 상기 도핑되지 않은 비정질 실리콘막 위에 형성되어 있는 에치 스토퍼 절연막, 상기 에치 스토퍼 절연막 위의 일부와 상기 비정질 실리콘막 위에 형성되어 있는 소스-드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑되지 않은 비정질 실리콘막은 상기 에치 스토퍼 절연막 및 소스-드레인 전극의 하부에 형성되어 외부로 노출되지 않는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 에치 스토퍼 절연막을 질화막인 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑된 비정질 실리콘막은 N형의 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 비정질 실리콘막인 박막 트랜지스터.
- 게이트 전극이 형성되어 있는 기판 위에 제1절연막을 형성하는 제1단계, 상기 절연막 위에 비정질 실리콘막을 형성하고, 그 위에 제2절연막을 형성하는 제2단계, 상기 제2절연막을 식각하여 상기 게이트 전극의 상측부의 상기 비정질 실리콘막 위에 에치 스토퍼 절연막을 형성하고, 상기 에치 스토퍼 절연막 외부에 노출되어 있는 상기 비정질 실리콘막을 제1도전형으로 도핑하는 제3단계, 상기 기판 전면에 금속막을 형성하고 식각하여 소스-드레인 전극을 형성하고, 동시에, 상기 소스-드레인 전극 마스크를 이용하여 상기 비정질 실리콘막을 식각하는 제4단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 제3단계의 상기 비정질 실리콘을 이온 샤우어 방법으로 도핑하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제5항 또는 제6항에서, 상기 비정질 실리콘의 도핑은 N형 불순물을 고농도로 도핑하는 박막 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950068219A KR970054522A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950068219A KR970054522A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054522A true KR970054522A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66638458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950068219A KR970054522A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054522A (ko) |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950068219A patent/KR970054522A/ko not_active Application Discontinuation
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