KR960002879A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, MESFET 또는 HEMT등의 반도체소자의 기생저항성분을 감소시켜 소자의 성능을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
본 발명은 기판위에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층상에 N+고농도 오믹층과 도판트플레인층을 함께 다층으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 MESFET 제조방법을 도시한 도면.
Claims (3)
- 기판위에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 황성층상에 n+고농도 오믹층과 도판트플레인층을 함께 다층으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도판트플레인층은 n도판트로 δ-도핑하여 형성하는 것을 특징으로 하여 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층상에 n+고농도 오믹층과 도판트플레인층을 함께 다층으로 형성하는 단계후에 상기 고농도 오믹층상에 소오스 및 드레인전극을 형성하는 단계와 상기 고농도 오믹층 및 활성층의 일부를 사진식각공정을 통해 식각하는 단계, 상기 식각된 부위의 활성층 상부에 게이트전극을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR960002879A true KR960002879A (ko) | 1996-01-26 |
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Families Citing this family (1)
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| JPH1020873A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-01-23 | Sony Corp | 音声信号処理装置 |
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1994
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| KR0170321B1 (ko) | 1999-03-30 |
| KR970005023A (ko) | 1997-01-29 |
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