KR970054506A - 레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조 방법 - Google Patents

레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레이저를 이용하여 오믹 컨택층의 비정질 실리콘막을 다결정 실리콘막으로 변화시키고 에치 스토퍼 패턴을 형성하기 위한 백노광을 진행하여 공정 수를 줄이는 레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 기판위에 도전 물질을 적층한 후 패터닝하여 게이트 전극과 게이트 패턴을 형성하는 단계, 게이트 절연막과 비정질 실리콘막, 절연막을 차례로 적층하는 단계, 노광하여 에치스토퍼를 형성하고, 이어서 레이저를 이용하여 백 노광을 실시하여 상기 비정질 실리콘막을 다결정 실리콘막으로 변화시키는 단계, 도전막을 적층한 후 패터닝하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 에치스토퍼와 상기 소스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 비정질 실리콘막을 식각하여 패터닝하는 단계, 보호막을 적층한 후 패터닝하여 컨택홀을 형성하는 단계, 상기 컨택홀을 통하여 상기 소스/드레인 전극과 접속하도록 도전막을 적층한 후 패터닝하여 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)-(사)는 본 발명의 실시예에 따른 레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조방법을 공정 순서에 따라 나타낸 단면도이다.

Claims (3)

  1. 기판위에 도전 물질을 적층한 후 패터닝하여 게이트 전극과 게이트 패턴을 형성하는 단계, 게이트 절연막과 비정질 실리콘막, 절연막을 차례로 적층하는 단계, 노광하여 에치스토퍼를 형성하고, 이어서 레이저를 이용하여 백 노광을 실시하여 상기 비정질 실리콘막을 다결정 실리콘막으로 변화시키는 단계, 도전막을 적층한 후 패터닝하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 에치스토퍼와 상기 소스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 비정질 실리콘막을 식각하여 패터닝하는 단계, 보호막을 적층한 후 패터닝하여 컨택홀을 형성하는 단계, 상기 컨택홀을 통하여 상기 소스/드레인 전극과 접속하도록 도전막을 적층한 후 패터닝하여 전극을 형성하는 단계를 포함하는 레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비정질 실리콘막의 n+비정질 실리콘막으로 컨택층을 형성하는 공정을 더 포함하는 레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 컨택층은 상기 소스/드레인 전극 패턴시 동시에 패터닝하는 레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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