KR950034457A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 용이한 공정에 의해 LDD 구조를 갖춘 다결정실리콘 박막트랜지스터를 제조하기 위한 것이다.
본 발명은 투명기판위에 금속층을 형성하는 공정과, 상기 금속층을 패터닝하여 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 공정, 기판 전면에 다결정 실리콘층을 형성하는 공정, 상기 다결정실리콘층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 공정 상기 활성층 상부에 게이트절연막과 게이트전극 형성용 도전층을 연속으로 형성하는 공정, 상기 게이트전극 형성용 도전층상에 포토레지스트를 도포하는 공정, 상기 포토레지스트를 게이트 전극패턴으로 패터닝하는 공정, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 게이트전극 형성용 도전층 및 게이트절연막을 테이퍼 식각하는 공정, 및 상기 기판 전면에 n+도핑을 실시하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발며의 LDD 구조를 갖춘 탑게이트 다결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (2)
- 투명기판위에 금속측을 형성하는 공정과, 상기 금속층을 패터닝하여 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정, 기판 전면에 다결정실리콘층을 형성하는 공정, 상기 다결정실리콘층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 공정, 상기 활성층 상부에 게이트절연막과 게이트전극 형성용 도전층을 연속으로 형성하는 공정, 상기 게이트전극 형성용 도전층상에 도포하는 공정, 상기 포토레지스트를 게이트 전극패턴으로 패터닝하는 공정, 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 게이트전극 형성용 도전층 및 게이트절연막을 테이퍼식각하는 공정, 및 상기 기판 전면에 n+도핑을 실시하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극 형성용 도전층은 금속 또는 비정질실리콘을 증착한 후 레이저 어닐링 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940010789A KR950034457A (ko) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940010789A KR950034457A (ko) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950034457A true KR950034457A (ko) | 1995-12-28 |
Family
ID=66682554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940010789A KR950034457A (ko) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950034457A (ko) |
-
1994
- 1994-05-17 KR KR1019940010789A patent/KR950034457A/ko not_active Application Discontinuation
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