KR940016742A - 박막트랜지스터 및 그 게이트전극 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 글래스기판(21)과 평탄화되어 형성된 게이트전극(22), 평탄화된 상기 게이트전극(22)과 글래스기판 (21) 상에 증착된 절연막(23), 상기 절연막(23) 상에 형성된 비정질 Si(24), 상기 비정길 Si(24) 상에 형성되어 지는 에칭스토퍼(etch stopper)(25), 상기 에칭스토퍼(etch stopper)(25) 양 측면에 접하여 형성된 불순물이 주입된 비정질 Si(26), 상기 절연막(23), 비정질 Si(24), 불순물이 주입된 비정질 Si(26)와 접하면서 형성되어 지는 드레인/소오스 (27)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그 게이트전극 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 박막트랜지스터 게이트 전극 형성도, 제 2 도는 본 발명에 따른 박막트랜지스터의 구조도, 제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 박막트랜지스터의 게이트전극 제조 공정도.
Claims (3)
- 박막트랜지스터에 있어서, 글래스기판(21)과 평탄화되어 형성된 게이트전극(22), 평탄화된 상기 게이트전극(22)과 글래스기판(21)상에 증착된 절연막(23), 상기 절연막(23) 상에 형성된 비정질 Si(24), 상기 비정질 Si(24) 상에 형성되는 지는 에칭스토퍼(etch stopper)(25), 상기 에칭스토퍼(etch atopper)(25) 양측면에 접하여 형성된 불순물이 주입된 비정질 Si(26), 상기 절연막(23), 비정질 Si(24), 불순물이 주입된 비정질 Si(26)와 접하면서 형성되어지는 드레인/소오스(27)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는박막트랜지스터.
- 박막트랜지스터의 게이트전극 제조방법에 있어서, 글래스기판(31) 위에 감광막(32)을 도포하여 게이트 전극 부위를 패턴하여 상기 글래스기판(31)을 식각하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 상기 식각된 글래스기판(31) 상에 금속막(33)을 증착하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계 후에 상기 식각된 글래스기판(31 부위 위에 위치한 상기 금속막(33)상에 감광막(34)을 도포하는 제 3 단계, 상기 제 3 단계 후에 상기 감광막(34)을 마스크로 상기 식각된 글래스기판(31) 상에 증착된 금속막(33)만을 남기고 노출되어 있는 상기 금속막(33)을 식각하여 게이트전극(35)을 형성한 후에 절연막(36)을 증착하는 제 4 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 게이트전극 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 게이트전극(35)은 게이트 콘토롤 선(28)인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 게이트전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920023281A KR940016742A (ko) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | 박막트랜지스터 및 그 게이트전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920023281A KR940016742A (ko) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | 박막트랜지스터 및 그 게이트전극 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016742A true KR940016742A (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=67210854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019920023281A KR940016742A (ko) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | 박막트랜지스터 및 그 게이트전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016742A (ko) |
-
1992
- 1992-12-04 KR KR1019920023281A patent/KR940016742A/ko not_active Application Discontinuation
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